特許

J-GLOBAL ID：202203009052909916

成膜装置の運用方法及び成膜装置

発明者： 宮原 達也 ,  渡邊 将久 ,  藤田 成樹
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-048482
公開番号（公開出願番号）：特開2019-161121
特許番号：特許第7045888号
出願日： 2018年03月15日
公開日（公表日）： 2019年09月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板を収容し、減圧雰囲気を形成して成膜処理を行うための処理容器と、処理容器内の圧力を監視する圧力計と、を有する成膜装置の運用方法であって、 前記処理容器内に成膜ガスを供給し、前記基板に膜を形成する成膜工程と、 前記処理容器内及び前記圧力計に前記膜を除去するクリーニングガスを供給するクリーニング工程と、 を有し、前記成膜工程と前記クリーニング工程とは交互に繰り返し行われる、 成膜装置の運用方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  C23C 16/44 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/302 101 H ,  H01L 21/31 F ,  C23C 16/44 J

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-296774   出願人：株式会社日立国際電気
• 気相反応装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-146727   出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
• 薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-245749   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 成膜装置及び成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-072267   出願人：株式会社昭和真空