特許

J-GLOBAL ID：202203011528139884

III族窒化物結晶、III族窒化物基板、及びIII族窒化物結晶の製造方法

発明者： 森 勇介 ,  吉村 政志 ,  今西 正幸 ,  北本 啓 ,  隅 智亮 ,  滝野 淳一 ,  岡山 芳央
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (3件)： 松谷 道子 ,  岡部 博史 ,  稲葉 和久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-102593
公開番号（公開出願番号）：特開2021-195279
出願日： 2020年06月12日
公開日（公表日）： 2021年12月27日
要約：

【課題】優れた導電性及び低い吸光係数を有するIII族窒化物結晶、及びその製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物結晶の製造方法は、III族元素含有ガスと、窒素元素含有ガスと、N型ドーパント含有ガスと、水素元素含有ガスと、を導入する工程と、導入された前記III族元素含有ガスと前記窒素原子含有ガスと前記N型ドーパント含有ガスと前記水素元素含有ガスとを反応させて、種基板上で、III族窒化物結晶を生成させる工程と、を有する。III族窒化物結晶は、N型ドーパント及び水素元素がドーピングされ、N型ドーパントの濃度は1×1020cm-3以上であり、水素元素の濃度は1×1019cm-3以上である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III族窒化物結晶であって、 N型ドーパント及び水素元素がドーピングされ、 前記N型ドーパントの濃度は1×1020cm-3以上であり、 前記水素元素の濃度は1×1019cm-3以上である、 III族窒化物結晶。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

Fターム (44件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB04 ,  4G077AB06 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077GA01 ,  4G077GA05 ,  4G077GA06 ,  4G077GA07 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB02 ,  4G077TB04 ,  5F045AA03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC18 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AF09 ,  5F045DP04 ,  5F045DP07 ,  5F045EE07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-144151   出願人：住友電気工業株式会社
• 窒化ガリウム基板、および、窒化物半導体結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2019-019494   出願人：三菱ケミカル株式会社