特許

J-GLOBAL ID：201903020769105240

窒化ガリウム基板、および、窒化物半導体結晶の製造方法

発明者： 塚田 悠介 ,  久保 秀一 ,  鎌田 和典 ,  藤澤 英夫 ,  大畑 達寛 ,  池田 宏隆 ,  松本 創 ,  三川 豊
出願人/特許権者： 三菱ケミカル株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人秀和特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-019494
公開番号（公開出願番号）：特開2019-077614
出願日： 2019年02月06日
公開日（公表日）： 2019年05月23日
要約：

【課題】本発明の主たる目的は、その主表面上に積層欠陥密度の低い窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させ得る非極性または半極性GaN基板と、その製造に必要な技術を提供することである。【解決手段】第1主表面およびその反対側の第2主表面を有し、該第1主表面は非極性面または半極性面である窒化ガリウム基板において、前記第1主表面における、常温カソードルミネッセンス法で測定される転位密度が1×104cm-2以下であり、該第1主表面内の任意の250μm四方の領域において、当該領域で平均した、常温カソードルミネッセンス法で測定される転位密度が1×106cm-2以下であることを特徴とする窒化ガリウム基板。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1主表面およびその反対側の第2主表面を有し、該第1主表面は非極性面または半極性面である窒化ガリウム基板において、 前記第1主表面における、常温カソードルミネッセンス法で測定される転位密度が1×104cm-2以下であり、 該第1主表面内の任意の250μm四方の領域において、当該領域で平均した、常温カソードルミネッセンス法で測定される転位密度が1×106cm-2以下であることを特徴とする窒化ガリウム基板。

IPC (5件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  C30B 7/10 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/34

FI (5件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/20 ,  C30B7/10 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34

Fターム (91件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB05 ,  4G077DB06 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077EE07 ,  4G077GA01 ,  4G077GA02 ,  4G077GA05 ,  4G077GA06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB02 ,  4G077TB04 ,  4G077TB05 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TJ03 ,  4G077TJ04 ,  4G077TK06 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030LA14 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC00 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF01 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045AF10 ,  5F045AF16 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA01 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045DA55 ,  5F045DA67 ,  5F045DB02 ,  5F045DB06 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ08 ,  5F045EB03 ,  5F045EE04 ,  5F045EE12 ,  5F045EK06 ,  5F045EK07 ,  5F045EK27 ,  5F045EM10 ,  5F045GH06 ,  5F045GH10

引用特許：

審査官引用 (6件)

• III族窒化物結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-245838   出願人：住友電気工業株式会社, 国立大学法人大阪大学
• GaN結晶の成長方法およびGaN結晶基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-215164   出願人：住友電気工業株式会社
• 単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-207783   出願人：住友電気工業株式会社
• ハイドライド気相成長法による平坦で低転位密度のm面窒化ガリウムの成長
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-515412   出願人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア, 独立行政法人科学技術振興機構
• 周期表第13族金属窒化物結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-081735   出願人：三菱化学株式会社
• III族窒化物結晶およびIII族窒化物結晶基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-070185   出願人：三菱化学株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• P-type conduction in stacking-fault-free m-plane GaN
• High-quality nonpolar m-plane GaN substrates grown by HVPE