TFT回路基板

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：ポレール特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-141228
公開番号（公開出願番号）：特開2018-013525
特許番号：特許第7007080号
出願日： 2016年07月19日
公開日（公表日）： 2018年01月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】酸化物半導体によるTFTを有するTFT回路基板であって、前記TFTは、酸化物半導体を覆ってゲート絶縁膜が形成され、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極が形成され、前記酸化物半導体の前記ゲート電極で覆われた部分と前記ゲート電極で覆われていない部分は、第1層間絶縁膜で覆われ、前記第1層間絶縁膜は第1の膜で覆われ、前記第1の膜は、第1のAlO膜で覆われており、前記第1層間絶縁膜と前記酸化物半導体あるいは前記ゲート電極の間には第2のAlO膜が形成されていることを特徴とするTFT回路基板。

IPC (12件)：

G09F 9/30 ( 200 6.01) , G02F 1/1368 ( 200 6.01) , G02F 1/1333 ( 200 6.01) , H01L 51/50 ( 200 6.01) , H05B 33/02 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 21/8234 ( 200 6.01) , H01L 27/06 ( 200 6.01) , H01L 21/28 ( 200 6.01) , H01L 21/768 ( 200 6.01) , H01L 23/532 ( 200 6.01)

FI (14件)：

G09F 9/30 338 , G02F 1/136 , G02F 1/133 505 , H05B 33/14 A , H05B 33/02 , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 617 L , H01L 29/78 619 A , H01L 27/06 102 A , H01L 21/28 L , H01L 21/90 A , H01L 21/90 C , H01L 21/90 K , H01L 29/78 612 A

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-079460 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタを備えた表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2016-052693 出願人：株式会社JOLED, 株式会社ジャパンディスプレイ
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-275222 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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