特許
J-GLOBAL ID：201303048326124010

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
松林 大介

松林 大介 について

, 
岡崎 豊

岡崎 豊 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-005705
公開番号（公開出願番号）：特開2013-168642
出願日： 2013年01月16日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
要約：
【課題】短縮されたチャネル長とする構造であっても、短チャネル効果が有さない、又極めて少ないトランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極層とを含むトランジスタを有し、該トランジスタにおいてチャネル長は短く(5nm以上60nm未満、好ましくは10nm以上40nm以下)、ゲート絶縁膜は厚い(窒素を含む酸化シリコン換算膜厚では5nm以上50nm以下、好ましくは10nm以上40nm以下)半導体装置である。または、チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極層とを含むトランジスタを有し、チャネル長が短く(5nm以上60nm未満、好ましくは10nm以上40nm以下)、ソース領域及びドレイン領域の抵抗率は1.9×10-5Ω・m以上4.8×10-3Ω・m以下であるシングルドレイン構造の半導体装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極層とを含むトランジスタを有し、 前記トランジスタのチャネル長が5nm以上60nm未満であり、 前記ゲート絶縁膜の窒素を含む酸化シリコン換算膜厚は5nm以上50nm以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (14件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/10
FI (20件)：
H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 616Z ,  H01L29/78 616V ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 381 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 615 ,  H01L27/10 671C ,  H01L27/10 671Z ,  H01L29/78 371 ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L27/10 441 ,  H01L27/10 461
Fターム (191件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA05 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB21 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD28 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104DD75 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104FF04 ,  4M104FF09 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF21 ,  4M104FF26 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104GG18 ,  4M104HH04 ,  4M104HH10 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  5F083AD02 ,  5F083AD14 ,  5F083AD69 ,  5F083BS01 ,  5F083BS13 ,  5F083BS27 ,  5F083BS49 ,  5F083EP22 ,  5F083EP75 ,  5F083GA02 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA08 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA53 ,  5F083JA58 ,  5F083LA02 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA21 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR07 ,  5F083PR09 ,  5F083PR22 ,  5F083PR29 ,  5F083PR34 ,  5F083PR36 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14 ,  5F101BA17 ,  5F101BB17 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD35 ,  5F101BD40 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BF03 ,  5F101BF09 ,  5F101BH09 ,  5F101BH14 ,  5F101BH15 ,  5F101BH16 ,  5F101BH19 ,  5F110AA04 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110CC10 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG33 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ22 ,  5F110HK04 ,  5F110HK17 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM07 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN37 ,  5F110NN40 ,  5F110NN62 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110PP10 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (17件)
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