特許
J-GLOBAL ID：202203011660069968
光半導体素子及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
山本 修
, 宮前 徹
, 松尾 淳一
, 鳥居 健一
, 井上 和真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-055097
公開番号（公開出願番号）：特開2022-152358
出願日： 2021年03月29日
公開日（公表日）： 2022年10月12日
要約：
【課題】選択エピタキシャル成長法の成膜プロセスに起因する多結晶粒の発生を抑制することを可能とする光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子は、単結晶層を最外層として含む半導体基板と、前記単結晶層上に形成された、互いに離間する主開口部及び少なくとも1つのダミー開口部を有する絶縁膜と、前記単結晶層上に前記主開口部内で選択的にエピタキシャル成長した主エピタキシャル膜と、前記単結晶層上に前記ダミー開口部内で選択的にエピタキシャル成長したダミーエピタキシャル膜とを備える。前記主エピタキシャル膜は、前記光半導体素子の機能の一部を担う膜であり、前記ダミーエピタキシャル膜は、前記光半導体素子の機能の一部を担わない膜である。前記主エピタキシャル膜と前記ダミーエピタキシャル膜との離間距離は4μm以上でかつ100μm以下の範囲内である。
【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光受動素子または光能動素子として機能する光半導体素子であって、
単結晶層を最外層として含む半導体基板と、
前記単結晶層上に形成された、互いに離間する主開口部及び少なくとも1つのダミー開口部を有する絶縁膜と、
前記単結晶層上に前記主開口部内で選択的にエピタキシャル成長した主エピタキシャル膜と、
前記単結晶層上に前記ダミー開口部内で選択的にエピタキシャル成長したダミーエピタキシャル膜と
を備え、
前記主エピタキシャル膜は、前記光半導体素子の機能の一部を担う膜であり、
前記ダミーエピタキシャル膜は、前記光半導体素子の機能の一部を担わない膜であり、
前記主エピタキシャル膜と前記ダミーエピタキシャル膜との離間距離は4μm以上でかつ100μm以下の範囲内である、
ことを特徴とする光半導体素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (19件)：
5F849AA04
, 5F849AB03
, 5F849BA01
, 5F849BA17
, 5F849BA28
, 5F849BB01
, 5F849CB03
, 5F849CB11
, 5F849CB18
, 5F849DA06
, 5F849DA28
, 5F849FA05
, 5F849FA11
, 5F849GA05
, 5F849HA13
, 5F849XB08
, 5F849XB15
, 5F849XB37
, 5F849XB51
