半導体基板、半導体基板の製造方法、電子デバイス、および電子デバイスの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：龍華国際特許業務法人 , 林茂則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-052646
公開番号（公開出願番号）：特開2010-239130
出願日： 2010年03月10日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：

【課題】結晶薄膜を有する半導体基板の設計および上記結晶薄膜の膜質および膜厚の制御を容易にできる半導体基板を提供する。【解決手段】ベース基板と、ベース基板上に、一体にまたは分離して設けられ、化合物半導体の結晶成長を阻害する阻害層とを備え、阻害層は、ベース基板まで阻害層を貫通する複数の開口を有する複数の第1開口領域を有し、複数の第1開口領域のそれぞれは、内部に同一の配置で設けられた複数の第1開口を含み、複数の第1開口の一部は、電子素子が形成されるべき第1化合物半導体が設けられている第1素子形成開口であり、複数の第1開口の他の一部は、電子素子が形成されない第1ダミー開口である半導体基板を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ベース基板と、前記ベース基板上に、一体にまたは分離して設けられ、化合物半導体の結晶成長を阻害する阻害層とを備え、前記阻害層は、前記ベース基板まで前記阻害層を貫通する複数の開口を有する複数の第1開口領域を有し、前記複数の第1開口領域のそれぞれは、内部に同一の配置で設けられた複数の第1開口を含み、前記複数の第1開口の一部は、電子素子が形成されるべき第1化合物半導体が設けられている第1素子形成開口であり、前記複数の第1開口の他の一部は、電子素子が形成されない第1ダミー開口である半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/331 , H01L 29/737

FI (2件)：

H01L21/20 , H01L29/72 H

Fターム (36件)：

5F003AZ03 , 5F003BA92 , 5F003BB04 , 5F003BE04 , 5F003BE90 , 5F003BF06 , 5F003BM01 , 5F003BM02 , 5F003BP33 , 5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152LL09 , 5F152LN03 , 5F152LN21 , 5F152LN32 , 5F152LN34 , 5F152MM01 , 5F152MM04 , 5F152MM05 , 5F152MM07 , 5F152MM08 , 5F152MM09 , 5F152MM10 , 5F152MM11 , 5F152MM12 , 5F152MM13 , 5F152NN03 , 5F152NN04 , 5F152NN15 , 5F152NN29 , 5F152NP02 , 5F152NP04 , 5F152NP22 , 5F152NP23 , 5F152NQ05 , 5F152NQ06

引用特許：

審査官引用 (12件)

化合物半導体装置とその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-223840 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-007024 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-083943

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