特許
J-GLOBAL ID：202203011964852669
脱銅電解処理方法、脱銅電解処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
正林 真之
, 林 一好
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-067228
公開番号（公開出願番号）：特開2019-178353
特許番号：特許第7022331号
出願日： 2018年03月30日
公開日（公表日）： 2019年10月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ニッケル硫化物に対して塩素浸出処理を施して得られる含銅塩化ニッケル溶液から電解採取法により電気ニッケルを製造する電気ニッケルの製造プロセスにおける脱銅電解処理の方法であって、 前記電気ニッケルの製造プロセスは、 前記含銅塩化ニッケル溶液にニッケル硫化物を添加し、少なくとも、該含銅塩化ニッケル溶液中の2価銅イオンを1価銅イオンに還元する第1のセメンテーション工程と、 前記第1のセメンテーション工程を経て得られたスラリーに、ニッケルマット及び前記塩素浸出処理により得られた塩素浸出残渣を添加し、該スラリーに含まれる1価銅イオンを硫化物として固定化する第2のセメンテーション工程と、を有するセメンテーション工程を含み、 前記脱銅電解処理では、チタンを含む金属により構成され、銅が析出する表面の算術平均粗さ(Ra)が0.2μm~1.2μmであり、最大高さ(Rz)が1.2μm~6.0μmである負極と、正極とを備えた電解槽に、前記セメンテーション工程における前記第1のセメンテーション工程を経て得られた反応終液の一部を脱銅電解処理始液として給液して脱銅電解処理を施す 脱銅電解処理方法。
IPC (8件)：
C25C 1/08 ( 200 6.01)
, C25C 1/12 ( 200 6.01)
, C25C 7/06 ( 200 6.01)
, C22B 23/00 ( 200 6.01)
, C22B 23/06 ( 200 6.01)
, C22B 15/00 ( 200 6.01)
, C22B 3/46 ( 200 6.01)
, C22B 3/44 ( 200 6.01)
C25C 1/08
, C25C 1/12
, C25C 7/06 301 A
, C22B 23/00 102
, C22B 23/06
, C22B 15/00 107
, C22B 3/46
, C22B 3/44 101 B
