特許
J-GLOBAL ID：202203011975714080

半導体装置及びその製造方法

発明者：
梶原 瑛祐

梶原 瑛祐 について

, 
加藤 大望

加藤 大望 について

, 
蔵口 雅彦

蔵口 雅彦 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について

, 
東芝デバイス&ストレージ株式会社

東芝デバイス&ストレージ株式会社 について


代理人 (5件)： 日向寺 雅彦 ,  小崎 純一 ,  市川 浩 ,  白井 達哲 ,  内田 敬人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-137963
公開番号（公開出願番号）：特開2020-017578
特許番号：特許第7055533号
出願日： 2018年07月23日
公開日（公表日）： 2020年01月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1電極と、 第2電極であって、前記第2電極から前記第1電極への方向は第1方向に沿う、前記第2電極と、 第3電極であって、前記第3電極の前記第1方向における位置は、前記第1電極の前記第1方向における位置と、前記第2電極の前記第1方向における位置と、の間にある、前記第3電極と、 Alx1Ga1-x1N(0≦x1≦0.2)を含む第1半導体層であって、前記第1半導体層は、第1~第5部分領域を含み、前記第4部分領域から前記第1電極への方向、前記第5部分領域から前記第2電極への方向、及び、前記第3部分領域から前記第3電極への方向は、前記第1方向と交差する第2方向に沿い、前記第1部分領域は、前記第1方向において、前記第4部分領域と前記第3部分領域との間にあり、前記第2部分領域は、前記第1方向において、前記第3部分領域と前記第5部分領域との間にある、前記第1半導体層と、 シリコン及び窒素を含む窒化物層であって、前記窒化物層における窒素(N)の濃度に対する、前記窒化物層におけるシリコン(Si)の濃度の比Si/Nは、0.69以上0.72以下であり、前記窒化物層は、第1窒化物領域及び第2窒化物領域を含む、前記窒化物層と、 Alx2Ga1-x2N(0.05≦x2≦0.35)を含む第2半導体層であって、前記第2半導体層は、第1半導体領域及び第2半導体領域を含み、前記第1半導体領域は、前記第2方向において前記第1部分領域と前記第1窒化物領域との間に設けられ、前記第1窒化物領域と接し、前記第2半導体領域は、前記第2方向において前記第2部分領域と前記第2窒化物領域との間に設けられ、前記第2窒化物領域と接する、前記第2半導体層と、 シリコン及び酸素を含む酸化物層であって、前記酸化物層における窒素の濃度は、前記窒化物層における窒素の濃度よりも低く、前記酸化物層は、第1~第3酸化物領域を含み、前記第1窒化物領域の少なくとも一部は、前記第1酸化物領域と前記第1半導体領域との間に設けられ、前記第2窒化物領域の少なくとも一部は、前記第2酸化物領域と前記第2半導体領域との間に設けられ、前記第3酸化物領域は、前記第3部分領域と前記第3電極との間に設けられ、前記第3部分領域及び前記第3電極と接し、前記第1窒化物領域の少なくとも一部は、前記第1酸化物領域と接し、前記第2窒化物領域の少なくとも一部は、前記第2酸化物領域と接した、前記酸化物層と、 を備えた半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01)
FI (7件)：
H01L 29/80 Q ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 617 S ,  H01L 29/78 301 B
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM