特許

J-GLOBAL ID：202203012329061120

メモリシステムおよびメモリシステムの制御方法

発明者： 関口 遼 ,  柳川 新悟 ,  黒澤 泰彦 ,  赤井畑 瑛莉子
出願人/特許権者： キオクシア株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-172796
公開番号（公開出願番号）：特開2020-047319
特許番号：特許第7023204号
出願日： 2018年09月14日
公開日（公表日）： 2020年03月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 メモリセルトランジスタを備えるメモリセルアレイと、前記メモリセルトランジスタに格納された複数ビットのデータを前記メモリセルトランジスタのしきい値電圧と3以上の第1数の第1判定電圧の少なくとも一部との比較に基づいて取得するリード処理を実行する周辺回路と、を備える第1メモリと、 前記第1数の前記第1判定電圧のうちの前記第1数より少ない2以上の第2数の第2判定電圧の値に基づいて前記第2数の前記第2判定電圧の何れとも異なる第3判定電圧の値の推定値を演算する第1処理を実行し、前記第3判定電圧の値と前記第3判定電圧の値の推定値との差分値を演算する第2処理を実行する第1回路と、 前記第2処理によって得られた前記第3判定電圧にかかる差分値を記憶する第2メモリと、 を備えるメモリシステム。

IPC (3件)：

G11C 11/56 ( 200 6.01) ,  G11C 16/04 ( 200 6.01) ,  H01L 27/1152 ( 201 7.01)

FI (3件)：

G11C 11/56 220 ,  G11C 16/04 170 ,  H01L 27/115 6

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 不揮発性半導体記憶装置とその制御方法、データ圧縮回路、データ展開回路、並びにデータ圧縮展開回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-198026   出願人：力晶半導体股ふん有限公司
• メモリ・システムのトラッキング・セル
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-533611   出願人：サンディスクコーポレイション
• メモリシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-067590   出願人：株式会社東芝