特許

J-GLOBAL ID：202203018576434078

モザイクダイヤモンドウェハと異種半導体との接合体及びその製造方法、並びに、異種半導体との接合体用モザイクダイヤモンドウェハ

発明者： 山田 英明 ,  茶谷原 昭義 ,  杢野 由明 ,  松前 貴司 ,  倉島 優一 ,  日暮 栄治 ,  高木 秀樹 ,  檜座 秀一 ,  今村 謙 ,  白柳 裕介 ,  吉嗣 晃治 ,  西村 邦彦
出願人/特許権者： 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ,  三菱電機株式会社
代理人 (3件)： 西澤 和純 ,  大槻 真紀子 ,  大浪 一徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-091708
公開番号（公開出願番号）：特開2022-184075
出願日： 2021年05月31日
公開日（公表日）： 2022年12月13日
要約：

【課題】放熱特性が高く、大型化が可能なモザイクダイヤモンドウェハと異種半導体との接合体を提供することである。 【解決手段】本開示に係るモザイクダイヤモンドウェハと異種半導体との接合体10は、複数の単結晶ダイヤモンド基板1A、1B同士の接合境界部B1を有するモザイクダイヤモンドウェハ1と、異種半導体2とが接合された接合体であって、モザイクダイヤモンドウェハ1の、異種半導体2との接合面1aaにおける最大の段差が10nm以下である。 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の単結晶ダイヤモンド基板同士の接合境界部を有するモザイクダイヤモンドウェハと、異種半導体とが接合された接合体であって、 前記モザイクダイヤモンドウェハの、前記異種半導体との接合面における最大の段差が10nm以下である、モザイクダイヤモンドウェハと異種半導体との接合体。

IPC (5件)：

C30B 33/06 ,  C30B 29/38 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304

FI (7件)：

C30B33/06 ,  C30B29/38 D ,  C30B29/04 A ,  H01L21/02 B ,  H01L21/304 622W ,  H01L21/304 621C ,  H01L21/304 621Z

Fターム (26件)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077BA04 ,  4G077BB10 ,  4G077BE08 ,  4G077BE15 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077FB05 ,  4G077FF06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  5F057AA16 ,  5F057BA19 ,  5F057BB02 ,  5F057BB03 ,  5F057BB06 ,  5F057CA11 ,  5F057DA05 ,  5F057EB21 ,  5F057EC17 ,  5F057FA23 ,  5F057GA02 ,  5F057GA03 ,  5F057GB02 ,  5F057GB15

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 信頼性および動作寿命を改善した半導体デバイスならびにその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2015-539829   出願人：エレメントシックステクノロジーズユーエスコーポレイション
• 特許第4849691号公報