特許
J-GLOBAL ID:202303012713738070

MEMSセンサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 杉村 憲司 ,  杉村 光嗣 ,  岡野 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2022-030470
公開番号(公開出願番号):特開2023-126033
出願日: 2022年02月28日
公開日(公表日): 2023年09月07日
要約:
【課題】MEMSセンサの感度を向上させる。 【解決手段】少なくとも1つのひずみ検知素子31と、各ひずみ検知素子上に設けられた一対のひずみゲージ317L、317Rと、を備えるMEMSセンサ1であって、一対のひずみゲージ317L、317Rは、各ひずみ検知素子の応力集中部312のみに並べて設けられていることを特徴とする。 【選択図】図3
請求項(抜粋):
少なくとも1つのひずみ検知素子と、 各ひずみ検知素子上に設けられた一対のひずみゲージと、 を備えるMEMSセンサであって、 前記一対のひずみゲージは、各ひずみ検知素子の応力集中部のみに並べて設けられていることを特徴とするMEMSセンサ。
IPC (1件):
G01L 1/18
FI (1件):
G01L1/18 A
引用特許:
出願人引用 (3件)

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