特許

J-GLOBAL ID：202303013258084845

電子部品の製造方法

発明者： 小林 俊介
出願人/特許権者： 一般財団法人ファインセラミックスセンター
代理人 (3件)： 小島 清路 ,  平岩 康幸 ,  鈴木 勝雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2022-016963
公開番号（公開出願番号）：特開2023-114574
出願日： 2022年02月07日
公開日（公表日）： 2023年08月18日
要約：

【課題】電気的絶縁性層、導電性層及び半導体層から選ばれた下地層の少なくとも一部の表面に酸化ハフニウム含有層等を備える電子部品の効率よい製造方法を提供する。また、酸化ハフニウム含有層をカーボンフリーとした電子部品の効率よい製造方法を提供する。 【解決手段】本発明は、電気的絶縁性層、導電性層及び半導体層から選ばれた下地層を備える第1部材3の該下地層の表面に滞留させた、酸化ハフニウムの前駆体14からなる前駆体ガス5に、荷電粒子線を照射し、下地層の少なくとも一部の表面に、酸化ハフニウム含有層を形成する荷電粒子線照射工程を備える電子部品製造方法である。酸化ハフニウム含有層をカーボンフリーとするために、荷電粒子線照射工程において、プラズマガス7の存在下、下地層表面に滞留する前駆体ガス5に荷電粒子線を照射することが好ましい。 【選択図】図2

請求項（抜粋）：

電気的絶縁性層、導電性層及び半導体層から選ばれた下地層の少なくとも一部の表面に酸化ハフニウム含有層を備える電子部品を製造する方法であって、 前記下地層を備える第1部材の該下地層の表面に滞留させた、酸化ハフニウムの前駆体からなる前駆体ガスに、荷電粒子線を照射し、前記下地層の少なくとも一部の表面に、前記酸化ハフニウム含有層を形成する荷電粒子線照射工程を備えることを特徴とする、電子部品製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/316 ,  H10B 53/30 ,  H01L 21/336 ,  H01G 4/10 ,  H01G 4/00 ,  H01G 4/33

FI (8件)：

H01L27/04 C ,  H01L21/316 B ,  H01L27/11507 ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 617V ,  H01G4/10 ,  H01G4/00 A ,  H01G4/33 102

Fターム (50件)：

5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG27 ,  5E082FG42 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F058BD05 ,  5F058BF17 ,  5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA19 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA44 ,  5F083JA60 ,  5F083PR21 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F140AC32 ,  5F140AC36 ,  5F140BA02 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07

引用特許：

出願人引用 (3件)

• テクスチャ形成されたイリジウム底部電極を有する酸化ハフニウムおよび酸化ジルコニウムベースの強誘電性デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2020-526418   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2017-100274   出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
• 強誘電体薄膜の製造方法、強誘電体薄膜製造装置および強誘電体薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2019-185711   出願人：国立大学法人京都工芸繊維大学, 高知県公立大学法人