半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-100274
公開番号（公開出願番号）：特開2018-195767
出願日： 2017年05月19日
公開日（公表日）： 2018年12月06日
要約：

【課題】HfおよびZrの少なくとも一方とOとを主成分とする金属酸化膜の強誘電性を発現させる。【解決手段】半導体基板1S上に絶縁膜2を介して酸化ハフニウム膜3を堆積した後、半導体基板1Sに対してマイクロ波MWを照射して酸化ハフニウム膜3を選択的に加熱する。これにより、酸化ハフニウム膜3の結晶中に斜方晶をより多く形成することができるので、酸化ハフニウム膜3にSi等のような不純物を添加しなくても、酸化ハフニウム膜3の強誘電性を発現させることができる。すなわち、逆サイズ効果を有する酸化ハフニウム膜3を強誘電体メモリセルの強誘電体膜として使用できるので、強誘電体メモリセルの微細化を実現することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板上に、HfおよびZrの少なくとも一方とOとを主成分とする金属酸化膜を堆積する工程、 (b)前記金属酸化膜上に導体膜を堆積する工程、 (c)前記金属酸化膜にマイクロ波加熱処理を施す工程、を有する半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 27/115 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 27/088 , H01L 21/283 , H01L 21/316

FI (10件)：

H01L27/11507 , H01L27/1159 , H01L29/78 301F , H01L29/78 301M , H01L27/06 102A , H01L27/088 C , H01L27/088 H , H01L21/283 C , H01L21/283 B , H01L21/316 X

Fターム (95件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB18 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104EE03 , 4M104EE06 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF21 , 4M104GG09 , 4M104GG16 , 4M104HH14 , 5F048AB01 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BD06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BF04 , 5F058BF12 , 5F058BF37 , 5F058BH01 , 5F083FR02 , 5F083FR06 , 5F083GA09 , 5F083JA02 , 5F083JA03 , 5F083JA34 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA18 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR29 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F083ZA20 , 5F140AA39 , 5F140AB09 , 5F140AC32 , 5F140BB05 , 5F140BC15 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD17 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE15 , 5F140BE16 , 5F140BE18 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG28 , 5F140BG32 , 5F140BG37 , 5F140BH15 , 5F140BK13 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法及び基板処理装置システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-227649 出願人：株式会社日立国際電気
オンチップメモリセルおよびその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-551901 出願人：インテル・コーポレーション
強誘電体メモリセルを形成する方法および関連する半導体デバイス構造
公報種別：公表公報出願番号：特願2016-541993 出願人：マイクロンテクノロジー,インク.

引用文献：

審査官引用 (2件)

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