強誘電体薄膜の製造方法、強誘電体薄膜製造装置および強誘電体薄膜

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：木村満 , 森川泰司 , 龍竹史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-185711
公開番号（公開出願番号）：特開2021-061360
出願日： 2019年10月09日
公開日（公表日）： 2021年04月15日
要約：

【課題】製造効率が高い強誘電体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】強誘電体薄膜の製造方法は、基板を準備する工程と、ミストCVD法により、強誘電体薄膜を形成する酸化物の前駆体原料を含む液滴状の材料を利用して、基板上に、直方晶構造の酸化ハフニウム(HfO2)結晶を含む強誘電体薄膜を形成する工程と、を含む。そして、強誘電体薄膜を形成する工程では、ハフニウムアセチルアセトナート(Hf(C5H7O2)4)を含む前駆体原料を基板の表面へ供給する。また、強誘電体薄膜を形成する工程では、前駆体原料をメタノールに溶解させてなる原料溶液を霧状にして基板の表面へ供給する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板を準備する工程と、強誘電体薄膜を形成する酸化物の前駆体原料を含む液滴状の材料を利用して、前記基板上に、直方晶構造の酸化ハフニウム結晶を含む強誘電体薄膜を形成する工程と、を含む、強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , C23C 16/40

FI (4件)：

H01L21/316 X , H01L21/31 B , H01L21/316 G , C23C16/40

Fターム (29件)：

4K030AA11 , 4K030AA18 , 4K030BA10 , 4K030BA42 , 4K030BB03 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030LA01 , 4K030LA15 , 5F045AB31 , 5F045AC02 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AF03 , 5F045CA05 , 5F045DC63 , 5F045DP04 , 5F045EK07 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF02 , 5F058BF46 , 5F058BG01

引用特許：

審査官引用 (6件)

有極性、カイラル、非中心対称性強誘電体材料、その材料を含むメモリセルおよび関連するデバイスと方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2018-231727 出願人：マイクロンテクノロジー,インク.
原子層成長法を用いた成膜方法及びその成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-226597 出願人：学校法人同志社, 株式会社堀場製作所, 株式会社堀場エステック
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2017-100274 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

“Mist chemical vapor deposition study of 20 and 100 nm thick undoped ferroelectric hafnium oxide fi

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