特許

J-GLOBAL ID：202303020892883374

高密度金属ナノ粒子改質BDD電極及びその製造方法、並びそれを用いたヒ素の検知方法及び検知装置

発明者： 竹村 謙信 ,  岩崎 渉 ,  森田 伸友 ,  大曲 新矢
出願人/特許権者： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
代理人 (3件)： 西澤 和純 ,  大槻 真紀子 ,  大浪 一徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2022-022445
公開番号（公開出願番号）：特開2023-119502
出願日： 2022年02月16日
公開日（公表日）： 2023年08月28日
要約：

【課題】本発明は、特定の高電圧印加によって、BDD電極基板上に沈着する金属ナノ粒子の密度及び粒子径を高度に制御することが可能な、高密度金属ナノ粒子改質BDD電極及びその製造方法を提供する。 【解決手段】本発明の高密度金属ナノ粒子改質BDD電極は、金属ナノ粒子を用いて、ホウ素ドープダイヤモンド(BDD)電極の表面を改質してなる。前記金属ナノ粒子は、粒子径10nm以上100nm未満の粒子が90/μm 2 以上の密度で分散ししていることを特徴とする、高密度金属ナノ粒子改質BDD電極。 【選択図】なし

請求項（抜粋）：

金属ナノ粒子を用いて、ホウ素ドープダイヤモンド(BDD)電極の表面を改質してなる、高密度金属ナノ粒子改質BDD電極であって、 前記金属ナノ粒子の金属が、金、白金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム及びイリジウムからなる群から選ばれる1種又は2種以上の元素であり、 前記金属ナノ粒子は、粒子径10nm以上100nm未満の粒子が90個/μm 2 以上の密度で分散していることを特徴とする、高密度金属ナノ粒子改質BDD電極。

IPC (2件)：

G01N 27/30 ,  G01N 21/65

FI (2件)：

G01N27/30 B ,  G01N21/65

Fターム (7件)：

2G043AA01 ,  2G043BA16 ,  2G043BA17 ,  2G043EA03 ,  2G043FA06 ,  2G043KA09 ,  2G043LA02

引用特許：

出願人引用 (3件)

• ホウ素ドープダイヤモンド
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-526549   出願人：ザユニバーシティオブワーウィック
• 電気化学検出方法および検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-132480   出願人：日本電信電話株式会社
• ホウ素ドープ導電性ダイヤモンド電極を用いた電気化学的分析方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-054284   出願人：学校法人慶應義塾