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J-GLOBAL ID:202402258205499607   整理番号:24A1594889

中性子反射率法を用いたスルホン化ポリイミド薄膜の界面構造

Interfacial structure of sulfonated polyimide thin film using neutron reflectometry
クリップ
著者 (11件):
資料名:
巻: 104th  ページ: ROMBUNNO.D342-2am-04 (WEB ONLY)  発行年: 2024年 
JST資料番号: U2384A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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リオトロピック液晶性を有するリチウム伝導性スルホン化ポリイミ...
シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
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二次電池  ,  その他の液晶 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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