特許

J-GLOBAL ID：202403013966643142

酸化ガリウム系半導体の製造方法

発明者： 加渡 幹尚 ,  大友 明 ,  相馬 拓人 ,  是石 和樹
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (7件)： 青木 篤 ,  三橋 真二 ,  鶴田 準一 ,  伊藤 公一 ,  関根 宣夫 ,  河野 努 ,  松田 淳浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2022-134426
公開番号（公開出願番号）：特開2024-031100
出願日： 2022年08月25日
公開日（公表日）： 2024年03月07日
要約：

【課題】従来よりも一層大きなバンドギャップを有している酸化ガリウム系半導体の製造方法を提供する。 【解決手段】本開示の製造方法は、β-Ga 2 O 3 単結晶を含有する基材上に、物理蒸着法によって、1.5nm以上、13.0nm未満の厚さの、θ-Al 2 O 3 を含有する薄膜を形成すること、及び、前記θ-Al 2 O 3 を含有する薄膜上に、物理蒸着法によって、β-Ga 2 O 3 を含有する薄膜を形成すること、を含む、酸化ガリウム系半導体の製造方法である。 【選択図】図5

請求項（抜粋）：

β-Ga 2 O 3 単結晶を含有する基材上に、物理蒸着法によって、1.5nm以上、13.0nm未満の厚さの、θ-Al 2 O 3 を含有する薄膜を形成すること、及び、 前記θ-Al 2 O 3 を含有する薄膜上に、物理蒸着法によって、β-Ga 2 O 3 を含有する薄膜を形成すること、 を含む、 酸化ガリウム系半導体の製造方法。

IPC (2件)：

C23C 14/08 ,  H01L 21/363

FI (3件)：

C23C14/08 J ,  C23C14/08 A ,  H01L21/363

Fターム (26件)：

4K029AA04 ,  4K029BA43 ,  4K029BA44 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029CA03 ,  4K029CA05 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4K029DC37 ,  4K029DC39 ,  4K029EA01 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  5F103AA01 ,  5F103AA02 ,  5F103AA04 ,  5F103AA06 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103NN05 ,  5F103RR05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 酸化ガリウム系半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2020-156405   出願人：トヨタ自動車株式会社, 国立大学法人東京工業大学