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J-GLOBAL ID:200901047189985686   Update date: Sep. 20, 2024

Nagayama Katsuhisa

ナガヤマ カツヒサ | Nagayama Katsuhisa
Affiliation and department:
Homepage URL  (1): http://www.shibaura-it.ac.jp/
Research field  (1): Structural and functional materials
Research theme for competitive and other funds  (19):
  • 2017 - 2020 Single crystal semiconductor and nitride and ferromagnetic silicide new device using cotainerless process
  • 2012 - 2015 Creation of the high efficiency solar cell spherical Si and III-V type compound semiconductor new device by using drop tube process
  • 2004 - 2007 ガスジェット浮遊型電磁浮遊炉を用いた半導体Siの結晶成長カイネティクス
  • 2004 - 2007 Crystal growth of semiconductor Si by using gas jet type elictromagnetic levitation furnace.
  • 2003 - 2006 Containerless Process for the Spherical Single Crystal Semiconductor Silicon by the Gas Jet Flow Type Electromagnetic Levitation.
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Papers (12):
MISC (154):
Patents (2):
  • Nd-Fe-B系浮遊溶融試料の高速圧縮法を用いた高性能永久磁石創製
  • 自由落下部3mのショートドロップチューブを用いた次世代高効率太陽電池用球状単結晶Si生成
Books (2):
  • ADVANCED MATERIALS ’93 I/B:MAGRETIC,FULLUERENCE,DIELECTRIC,FWRROELECTRIC,DIAMOND AND RELATED MATERIALS.(共著)
    1994
  • ADVANCED MATERIALS ’93 I/B:MAGRETIC,FULLUERENCE,DIELECTRIC,FWRROELECTRIC,DIAMOND AND RELATED MATERIALS.
    1994
Works (2):
  • 無容器プロセスによる過冷凝固、結晶成長と熱物性値に関する研究(-電磁浮遊法による強磁性材料の無容器凝固プロセスの検討-)
    2001 - 2004
  • Nd-Fe-B系異方性高性能磁石材料の開発(-無容器プロセスを用いたNd-Fe-B系異方性磁石材料の過冷凝固過程と高機能化の検討-)
    2001 - 2002
Education (4):
  • - 1984 Shibaura Institute of Technology
  • - 1984 Shibaura Institute of Technology Graduate School, Division of Engineering
  • - 1982 Shibaura Institute of Technology
  • - 1982 Shibaura Institute of Technology
Professional career (2):
  • 工学博士 (東京大学)
  • 工学修士 (芝浦工業大学)
Awards (1):
  • 1991 - 日本金属学会論文賞受賞
Association Membership(s) (4):
軽金属学会 ,  日本金属学会 ,  日本応用磁気学会 ,  日本マイクログラビティ応用学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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