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J-GLOBAL ID：200901055415084533 Update date: Oct. 10, 2024

Matsuoka Takashi

マツオカタカシ | Matsuoka Takashi

Affiliation and department：
Job title： Professor
Homepage URL (1)： https://www.matsuoka-lab.niche.tohoku.ac.jp/

Research field (5)： Applied physics - general , Nanobioscience , Nanomaterials , Electric/electronic material engineering , Electronic devices and equipment

Research keywords (10)：半導体 , Nitride Semiconductor , Wide-gap Semiconductor , 半導体発光素子 , 分布帰還型レーザ , Blue LED , MOVPE , Epitaxial Growth , InN , GaN

Research theme for competitive and other funds (21)：

2024 - 2027 窒化物半導体における選択極性反転技術の構築とn型p型領域同時形成への応用の研究
2023 - 2026 半導体中における進行波増幅の可能性の検証に関する研究
2016 - 2019 Crystal Growth of N-polar Nitride Semiconductor Heterostructures with Two-Dimensional Electron Gas
2016 - 2019 Asymmetric-waveguide-coupled multi-striped orthogonal photo-photocarrier-propagation solar cell
2016 - 2019 Study on nitrogen-polar InGaAs-channel high electron mobility transistors

2016 - 2019 Control of Polarization-Induced Electric Field in Nitride-Semiconductor-Based Devices

2015 - 2018 Development of GaN-based substrate for realizing highly efficient and low-cost LED

2015 - 2018 Study on GaN-based vertical transistors using ScAlMgO4 substrates

2014 - 2018 Device application of N-polar InAlN compound semiconductor grown by low-and high-pressure metalorganic vapor phase epitaxy

2012 - 2015 Development of red-color emission layer based on nitride semiconductor for white lighting

2009 - 2014 Research on highly efficient solar cells introducing sensitization by exciton absorption

2013 - 2013 Realization of epitaxial growth of In-rich InAlN for device application of nitride semiconductors

2012 - 2013 Research on qualitative improvement of epitaxially grown GaN thin layer by introducing lattice-matched ScAlMgO4 substrate

2011 - 2012 R&D on fabrication technology of highly efficient solar cells consisted of nitride semiconductors on Si substrate

2006 - 2011 Research on temperature-stable InN semiconductor laser for optical communications systemss

2009 - 2009 Establishment of high-temperature growth technique for InGaN with green-color emission on ZnO substrate by MOVPE method

2006 - 2008 Basic research on temperature-stable InN semiconductor laser for optical communications systems

2005 - 2006 Research on exploration of light-emitting materials and their device fabrication on Si substrate

2006 - 2006 ZnO単結晶基板と格子整合する青色発光用「高品質InGaN」の薄膜成長技術の確立

2004 - 2006 Study of degradation mechanism and its control on II-VI, III-V wide bandgap light emitting device

1997 - 2001 Spin-polarized tunneling by spin-polarized scanning tunneling microscopy

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Papers (127)：

Takashi Matsuoka, Hitoshi Morioka, Satoshi Semboshi, Yukihiko Okada, Kazuya Yamamura, Shigeyuki Kuboya, Hiroshi Okamoto, Tsuguo Fukuda. Properties of ScAlMgO4 as Substrate for Nitride Semiconductors. Crystals. 2023. 13. 3. 449-449
T. Matsuoka, T. Mitate, S. Mizuno, H. Takahata, T. Tanikawa. N-Polar Gowth of Nitride Semiconductors with MOVPE and its Applications. J. Cryst. Growth. 2023. 65. 127056
K. Prasertsuk, T. Suemitsu, T. Matsuoka. Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors. Jpn. J. Appl. Phys. 2022. 61. SA1006
T. M. Inerbaev, T. Matsuoka, Y. Kawazoe. Optical Band Gap Energy Values in Wurtzite InxGa1-xN. Bulletin of The University of Karaganda-Physics. 2022. 105. 107-116
V. Suresh Kumar, S. Y. Ji, Y. T. Zhang, K. Shojiki, J. H. Choi, T. Kimura, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka. Dependence of the V/III Ratio on Indium Incorporation in InGaN Films Grown by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY. 2020. 20. 5. 2979-2986

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MISC (15)：

谷川智之, 小島一信, 秩父重英, 松岡隆志. GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 65th
Crystal Growth Technology of N-polar Nitride Semiconductors by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. 2018. 45. 1. 8p
MATSUOKA Takashi. 分布帰還型レーザと青色発光素子の研究開発. 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ News Letter. 2018. 168. 1. 6-8
T. Matsuoka, Y. Liu, T. Kimura, R. Katayama. Possibility of Pressurized-Reactor MOVPE for Nitride Semiconductors. Proceedings of LED 2011. 2011
MATSUOKA Takashi. 窒化物半導体の有機金属気相成長. 金属. 2009. 79. 11. 23-28

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Patents (79)：

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Books (8)：

Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds ~Computational Approach~
Springer 2018
未来をさがそう韓国語版
ダイヤモンド社 2007
未来をさがそう
ダイヤモンド社 2005
Advanced Materials in Electronics 2004
Research Signpost 2004
新編光学材料ハンドブック
株式会社リアライズ社 2000

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Lectures and oral presentations (623)：

The Underemphasized Concept of Crystal Polarity in Conventional Semiconductors and Its Device Application
(International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024) 2024)
収束電子回折法によるGaN/AlGaNヘテロ接合界面の微細構造解析
(日本顕微鏡学会第67回シンポジウムシンポジウム 2024)
New Developments in Nitride Semiconductors Focusing on Wurtzite Structure
(Asian Consortium on Computational Materials Science (ACCMS)-Global Research Center 2024)
窒化物半導体の結晶成長とその光・電子デバイスへの応用
(一般社団法人日本電子デバイス産業協会(NEDIA) 2024)
Semiconductor Materials and Devices Enabling Extreme Operating Characteristics
(KOR-TWN-JPAN Trilateral Technology Dialogue on Semiconductor 2024)

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Education (2)：

1976 - 1978 Hokkaido University Graduate School, Division of Engineering 電子工学専攻
1972 - 1976 Hokkaido University Faculty of Engineering 電子工学科

Professional career (1)：

工学博士 (Hokkaido University)

Work history (17)：

2023/04 - 現在 The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, Life Member
2023/01 - 現在 IEEE Life Fellow
2022/01 - 現在 The Japanese Association for Crystal Growth
2019/04 - 現在 Tohoku University, New Industry Creation Hatchery Center (NICHe) Specially Appointed Professor
2019/04 - 現在 Tohoku University Emeritus Professor

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Committee career (42)：

2010/01 - 現在 The Open Applied Physics Journal Associate Editor
2022/10 - 科学研究費補助金S 意見書策定委員
2020/11 - 2021/03 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ賞選定委員
2017/11 - 2020 イムラ・ジャパン賞審査委員
2017/12 - 2019/01 日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究Sおよび新学術領域審査委員

2017/11 - 2018/11 応用物理学会フェロー選考委員

2016/12 - 2017/08 日本学術振興会科学研究費補助金特別推進審査委員

2012/08 - 2017/03 文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター専門調査員

2015/12 - 2017/01 日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究AおよびB 審査委員

2016/01 - 2016/09 European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting Session organizer of “Nitride semiconductors for high power and high frequency electronic devices II

2015/12 - 2016/08 18th Intern. Conf. Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE), Session organizer of “III-V semiconductors

2011/05 - 2016/03 APEX/JJAP 編集委員

2013/07 - 2014/09 Japanese Journal of Applied Physics Selected Topics in Applied Physics “Progress of Nitride Semiconductors and their Future Prospects” 特別編集委員長

2012/12 - 2014/01 日本学術振興会科学研究費補助金審査委員

2013/01 - 2013/10 2013 International Symposium on Optomechatronic Technologies, Special session “Current Status and Future Prospects of Nitride Semiconductors” セッションオーガナイザ

2013/01 - 2013/10 2013 International Symposium on Optomechatronic Technologies, Special session “Current Status and Future Prospects of Nitride Semiconductors” Organizer,

2012/10 - 2012/12 International Workshop on Nitrides (IWN2012), JJAP特集号編集委員

2008/10 - 2009/10 Organizing Chair

2008/09 - 2009/09 Organizing Chair

2008 - 2009 Member of program committee

2008/06 - 2008/12 14th Intern. Conf. Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 2008 (ICMOVPE, 2008.6.1-6), Metz publication committee

2007/08 - 2008/12 2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2, 2008.7.6-9), 伊豆出版副委員長

2006/08 - 2008/08 応用物理学会 member of paper award nomination committee

2007/08 - 2008/07 Vice chair of publication committee

2007/07 - 2008/05 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4, 2008.5.22-24), 仙台セッションチェア

2006/03 - 2007/05 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM’07) Member of program committee

2006/01 - 2006/10 電子情報通信学会和文論文誌C 次世代ナノテクノロジー特集号編集委員

2004/03 - 2006/02 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ次世代ナノ技術に関する時限研究専門委員

2005 - 2006 International Workshop on Nitrides (IWN2006) Member of organizing committee and session chair of program committee

2005 - 2006 International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE’06) Member of organizing committee

2004 - 2005 SPIE International Symposium on Optomechatronic Technologies (SPIE-ISOT’05) Member of organizing committee

2004 - 2005 Pacific Rim Con. Lasers and Electro-Optics (CLEO/Pacific Rim '05) Member of Session program committee

2004/06 - The Chinese Academy of Science-Croucher Foundation International Reviewer on a proposal of The Chinese Academy of Science-Croucher Foundation

2000/12 - 2001/03 Science Foundation Ireland (SFI) International Reviewer on a specific SFI proposal

1999 - 2001 Electronic Materials Symposium Member of organising committee

1995 - 2000 European GaN Workshop (EGW) International Advisory Committee member

1997 - 1999 Electronic Materials Symposium Member of program committee

1997 - 1998 International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (ISBLLED'98) Member of organising committee and Vice chair of program committee

1995/06 - 1997/05 日本電子材料協会光・半導体デバイス委員会幹事

1996 - 1997 International Conference on Nitrides semiconductor (ICNS'97) Member of Organising committee and Program Committee

1994 - 1995 Topical Workshop on III-V Nitrides (TWN'95) Topical Workshop on III-V Nitrides (TWN'95)

1994 - 1995 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials-95 (ICSCRM-95) Program Committee Member

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Awards (30)：

2023/01 - IEEE IEEE Fellow Award "For Contributions to Laser Diodes for Optical Communications and Nitride Semiconductors for Light Emitting Devices",
2021/04 - ISPlasma 2021/IC-PLANTS 2021 Best Presentation Award in ISPlasma 2021/IC-PLANTS 2021 "Evidence of Carrier Trapping at Extrinsic Gate Region in N-Polar GaN/AlGaN MIS HEMTs"
2019/09 - Best Paper Award Three-Dimensional Imaging of Threading Dislocations in GaN Crystals using Two-Photon Excitation Photoluminescence
2018/03 - 公益社団法人応用物理学会第8回(平成29年度)応用物理学会化合物半導体エレクトロニクス業績賞(赤﨑勇賞) 「InGaN系混晶半導体のエピタキシャル成長技術に関する先駆的研究」
2018/01 - 河北新報社第69回(平成29年度)河北文化賞「赤外から青色までの半導体材料とその素子応用によるエレクトロニクスの発展への貢献」

2017/09 - 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ賞, 光半導体およびフォトニクス分野「長波長帯分布帰還型レーザの開発と窒化物半導体基礎物性の解明によるエレクトロニクスへの貢献」

2017/04 - 文部科学省平成29年度文部科学大臣表彰科学技術賞「新しい半導体材料の開発とその素子応用に関する研究」

2017/03 - 応用物理学会第42回(2017年春季)応用物理学会講演奨励賞「二光子励起フォトルミネッセンス法によるGaN中の貫通転位の三次元分布評価」

2016/08 - 日本結晶成長学会日本結晶成長学会第11回業績賞および赤﨑勇賞「光ファイバ通信・青色発光素子用結晶の先駆的成長技術」

2016/03/25 - 東北大学平成27年度総長優秀学生賞

2016/03 - 日本学術振興会第6回日本学術振興会育志賞「-c面窒化インジウムガリウム混晶の有機金属気相成長と光学素子応用」

2016/03 - 第7回薄膜太陽電池セミナー組織委員会第7回薄膜太陽電池セミナー優秀ポスター賞「InGaN/GaN 太陽電池の格子極性と発電特性」

2016/01 - 応用物理学会東北支部第20回応用物理学会東北支部講演奨励賞「N極性(000-1)p型GaNのMOVPE成長における Mg/Ga・V/III 原料供給比の正孔濃度への影響」

2014/12 - 応用物理学会第19回応用物理学会東北支部講演奨励賞「MOVPE法による可視光全域波長の発光を有するN 極性(000-1)InGaN 発光ダイオードの作製」

2014/11 - 応用物理学会第37回(2014年秋季)応用物理学会講演奨励賞サファイア基板上MOVPE成長N極性面(000-1) InGaNを用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製

2014/11 - 東北大学金属材料研究所第128回金属材料研究所講演会優秀ポスター賞「転位低減に向けたN 極性(000-1)面GaN のMOVPE 選択成長」

2014/11 - 東北大学金属材料研究所第128回金属材料研究所講演会優秀ポスター賞「MOVPE成長N極性(000-1)InGaN発光ダイオードによる可視光全域波長での発光の実現」

2014/09 - 応用物理学会第8回(2014年度)応用物理学会フェロー表彰長波長DFB-LDと窒化物の研究による半導体光素子の開発」

2014/05 - 東北大学金属材料研究所第127回金属材料研究所講演会ポスター賞サファイア窒化AIN基板を用いたMOVPE法によるN極性GaNの成長

2014/04 - The Japana Society of Applied Physics APEX/JJAP Editorial Contribution Award

2014/03 - Institute for Materials Research 2013 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center" Poster Presentation Award Observation of Indium Content Distribution on m-plane InGaN Film with Hillocks

2013/11 - 東北大学金属材料研究所第126回金属材料研究所講演会優秀ポスター賞サイファイア基板上(000-1)GaNの有機金属気相成長におけるMgによる表面マイグレーションの促進

2013/09 - 応用物理学会第74回応用物理学会秋季講演会ポスター賞

2013/09 - 応用物理学会第74回応用物理学会秋季講演会ポスタ賞

2012/12 - 応用物理学会東北支部第17回(2012年度)応用物理学会東北支部講演奨励賞

2011/03/25 - 東北大学東北大学総長賞

2009/11 - 科学技術振興機構 CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域第二回公開シンポジウムポスター賞温度安定性に優れた光通信用InN半導体レーザの研究

2003/03 - Basic Research Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation Paper Award in Basic Research Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation "Optical Band-Gap Energy of Wurtzite InN", Appl. Phys. Lett., 81(2002)1246

1988/10 - 日本電信電話株式会社 NTT社長表彰超高速・長スパン光ファイバ伝送技術の開発

1984/09 - 10th European Conference on Optical Communication ECOC Prize 1984 (the best paper of 10th European Conference on Optical Communication) Verification of the Light Phase Effect at the Facet on DFB Laser Properties

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Association Membership(s) (6)：

Japanese Association for Crystal Growth , The international Society for Optics and Photonics (SPIE) , Materials Research Society (MRS) , The Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) , The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers , The Japan Society of Applied Physics

※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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