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J-GLOBAL ID：200901058025487377
Update date: Mar. 31, 2025 Yoshitake Tsuyoshi
ヨシタケ ツヨシ | Yoshitake Tsuyoshi
Prof.
Research field (3)：
Inorganic materials
, Electric/electronic material engineering
, Thin-film surfaces and interfaces
Research keywords (6)：
ダイヤモンド
, 半導体
, 薄膜
, Diamond
, semiconductor
, Thin Film
Research theme for competitive and other funds (22)： - 2021 - 2024 Development of new physical methods for forming single photon sources in nanodiamond films
- 2019 - 2023 Key factors that predominantly affact electrical and mechanical properties of ultrananpcrystalline diamond films
- 2017 - 2020 Development of nanocarbon thin films for all-carbon photovoltaics
- 2016 - 2019 Spin injection to nanodiamond films
- 2015 - 2018 Opt-electrical properties of nanodiamond films and their application to photovoltaics
- 2012 - 2015 Superconductivity of heavily boron-doped nanodiamond films prepared by physical vapor deposition
- 2009 - 2011 Pressure effect and its mechanism of interlayer coupling on the artificial lattice with semiconductor/ferromagnetic phaces of iron silicide.
- 2008 - 2010 Effects of light irradiation and thermal heating on interlayer coupling in Fe-Si ferromagnetic metal/semiconductor superlattices
- 2007 - 2008 The pressure effect to the magnetic interlayer coupling in the Fe-Si system with semiconducting/ferromagnetic hetero-structure.
- 2001 - 2002 レーザーアブレーションによるダイヤモンド薄膜のホモエピタキシャルおよびヘテロ成長
- 2002 - リチウムイオン電池薄膜正極の成長
- 2001 - レーザーアブレーション用次世代薄膜製造装置の開発
- 1999 - 2000 Development of the superconductor by the PLD method in the inside of high Electric fields and high magnetic fields
- 1999 - 2000 Change of electric resistance induced by laser irradiance due to spin dependent electron scattering in β-FeSi_2 Fe multi-layered films
- 1997 - 1999 Study on Macroscopic Aspects of Shock Compression Behavior of Polymer Materials
- 1999 - 物理気相成長法によるシリサイド半導体薄膜の作製とその評価
- 1999 - レーザーアブレーションによるダイヤモンド薄膜の低温成長
- レーザーアブレーション法によるダイヤモンド薄膜の作製
- Fabrication of diamond thin film by pulsed laser deposition
- Study on Laser Ablation Process
- β-FeSi2 thin films prepared by physical vapour deposition
- Low temperature growth of diamond Thin Films by Pulsed Laser Ablation
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Sreenath Mylo Valappil, Taisuke Kageura, Shinya Ohmagari, Shinobu Onoda, Phongsaphak Sittimart, Hiroshi Naragino, Tsuyoshi Yoshitake. Harsh Environment-Immune All-Carbon Visible Light Photodetector: Sensitivity Improvement by Nitrogen-Vacancy Center Density Enhancement Through Electron Irradiation. Small. 2025
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Alaaeldin Mohamed, Ahmed A. Farghali, Ahmed M.E. Khalil, Mohamed Sh. Abdel-Wahab, Wael Z. Tawfik, Ayman Ali Saeed, Mohamed Ragab Diab, Koki Murasawa, Hiroshi Naragino, Tsuyoshi Yoshitake, et al. Sustainable thick nanodiamond composite coatings on hard metal: Effects of varied discharge energies on tribological performance and corrosion resistance. Surface and Coatings Technology. 2025. 498. 131844-131844
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Nattakorn Borwornpornmetee, Thawichai Traiprom, Takafumi Kusaba, Phongsaphak Sittimart, Hiroshi Naragino, Boonchoat Paosawatyanyong, Tsuyoshi Yoshitake, Nathaporn Promros. Modification of wetting and mechanical traits via rapid annealing under varying temperatures for β-FeSi2. Journal of Materials Science. 2025
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Mohamed Ragab Diab, Koki Murasawa, Ahmed Mohamed Mahmoud Ibrahim, Hiroshi Naragino, Tsuyoshi Yoshitake, Mohamed Egiza. Wear-resistant and stable low-friction nanodiamond composite superhard coatings against Al2O3 counter-body in dry condition. International Journal of Refractory Metals and Hard Materials. 2025. 126. 106955-106955
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Satoki Nagano, Hiroshi Naragino, Hiroki Hashiguchi, Shunsuke Hokazono, Lama Osman, Mohamed Ragab Diab, Abdelrahman Zkria, Tsuyoshi Yoshitake. Fabrication of nitrogen-doped quenched-produced diamond electrodes on titanium substrates by coaxial arc plasma deposition. Functional Diamond. 2024
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片宗 優貴, 村澤 功基, 吉武 剛, 菊池 俊文, 妹川 要, 池上 浩. KrFエキシマレーザ照射による多結晶ダイヤモンド膜の表面平滑化. New diamond = ニューダイヤモンド / ニューダイヤモンドフォーラム 編. 2024. 40. 3. 34-36
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草場 崇史, Phongsaphak Sittimart, 片宗 優貴, 蔭浦 泰資, 楢木野 宏, 大曲 新矢, Sreenath Mylo Valappil, 長野 里基, Abdelrahman Zkria, 吉武 剛. RFマグネトロンスパッタリング法による単結晶ダイヤモンド(111)基板上のβ-Ga2O3薄膜のヘテロエピタキシャル成長. New diamond = ニューダイヤモンド / ニューダイヤモンドフォーラム 編. 2024. 40. 2. 22-24
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Lengu Peter Tuok, Marwa Elkady, Abdelrahman Zkria, Tsuyoshi Yoshitake, Usama Nour Eldemerdash. Evaluation of stability and functionality of zinc oxide nanofluids for enhanced oil recovery. Micro and Nano Systems Letters. 2023. 11. 1
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綿谷敦志, SITTIMART Phongsaphak, 楢木野宏, 片宗優貴, 大曲新矢, 吉武剛. Epitaxial growth of β-Ga2O3 Thin Films on diamond (100) by RF magnetron sputtering. 応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集(Web). 2022. 48
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堺研一郎, 浜崎健, 荒巻枚希, 田部井哲夫, 西嶋雅彦, 吉武剛. The electrical spin injection into semiconducting FeSi2. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2020. 81st
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発明の名称:ダイヤモンド薄膜の形成方法 出願番号:特願2002-253766 提出日:2002年8月30日 発明者:吉武 剛、永山邦仁、原 武嗣 特許出願者人:科学技術振興事業団
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発明の名称:鉄シリサイド半導体薄膜およびその製造方法 出願番号:特願2002-200948 提出日:2002年7月10日 発明者:吉武 剛、前田佳均、宮尾正信、佐道泰造 特許出願者人:科学技術振興事業団
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発明の名称: β-FeSi2薄膜の作製方法 出願番号:特願2001-386820 提出日:平成13年12月19日 発明者:吉武 剛 特許出願者人:科学技術振興事業団
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発明の名称:半導体特性を示すアモルファス鉄シリサイド膜とその作製方法 出願番号:特願2001-386824 提出日:平成13年12月19日 発明者:吉武 剛 特許出願者人:科学技術振興事業団
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発明の名称 : レーザーアブレーション法成膜装置および成膜方法、出願番号 : 特願2001-165793、提出日平成13年5月30日、発明者 : 吉武 剛、特許出願者人 : 科学技術振興事業団
ｍore...- 3.4節パルスレーザ堆積法&3.5節スパッタリング成膜法 in シリサイド系半導体の科学と技術: 資源・環境時代の新しい半導体と関連物質(前田佳均編)
裳華房 2014
- n-Type β-FeSi2/p-type Si near-infrared photodiodes prepared by facing-targets direct-current sputtering
InTech Open Access Publisher 2010
- レーザーマイクロ・ナノプロセッシング
シーエムシー出版 2004
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同軸型アークプラズマ成膜法による導電性超ナノ微結晶ダイヤモンド電極の作製
(第69回応用物理学会春季学術講演会 2022)
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窒素ドープ超ナノ微結晶ダイヤモンド電極の作製と CO2還元特性
(第12回半導体材料・デバイスフォーラム 2021)
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鉄シリサイド半導体を用いた横型スピンバルブ素子
(第12回半導体材料・デバイスフォーラム 2021)
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p-Type diamond/n-type β-Ga2O3 heterojunctions fabricated using direct-bonding technique
(2021 MRS Fall Meeting 2021)
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シリコン基板上に成膜されたナノダイヤモンド混相膜の機械的・構造的特性に基板温度及び中間層がもたらす影響
(2021年(令和3年度)応用物理学会九州支部学術講演会 2021)
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回転フィルターを用いたドロップレットフリー薄膜の作製技術
2002 -
- 2000 - 日本MRS奨励賞
- 1999 - 日本MRS奨励賞
- 1998 - 日本MRS奨励賞
- 1998 - 応用物理学会春季講演会講演奨励賞
日本MRS
, 電気学会
, 応用物理学会
, 日本応用磁気学会
