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J-GLOBAL ID：200901072122668281
Update date: Aug. 30, 2020
Harada Yoshiyuki
ハラダ ヨシユキ | Harada Yoshiyuki
Affiliation and department：
Research field (1)：
Semiconductors, optical and atomic physics
Research keywords (3)：
固体物性(]G0001[)(光物性・半導体・誘電体)
, Semiconductor and Dielectrics)
, Solid-State Physics (]G0001[)(Optical Properties
Research theme for competitive and other funds (2)：
- 1995 - ワイドギャップ半導体の光学的性質に関する研究
- 1995 - Study on optical properties of wide-gap semiconductors
MISC (94)：
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Si(111)基板上に成長させた六方晶InN薄膜結晶のアニールによって形成したIn2O3粒界の影響. 応用物理学会ジャーナル. 2003. 43, No.2A/, L139-L141
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ECRプラズマによるMBE法を用いてSi(111)とサファイア(0001)基板上に成長させたInN薄膜の2.2eV近傍の可視発光. phys.stat.sol.(c). 2003. 2802-2805
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ECRプラズマによるMBEを用いたInN成長下での基板バイアス電圧効果. phys.stat.sol.(c). 2003. 2545-2548
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ECRプラズマによるMBE法を用いてSi(111)基板上に成長させたGaN薄膜の低温成長. 第22回電子材料シンポジウム. 2003. 191-192
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ECRプラズマによるMBE法を用いてSi(111)とサファイア(0001)基板上に成長させたInN薄膜の2.2eV近傍の可視発光. 第5回窒化物半導体国際会議論文集、ICNS-5. 2003. 412
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Books (10)：
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遠赤外光を用いたClをドープしたZnSeの深い欠陥の格子緩和現象の研究
第23回半導体国際会議プロシーディング 1996
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Far-infrared Study on Lattice Relaxation Phenomenon of Deep Defects in Cl-doped ZnSe
Proceedings of the 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors 1996
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補償化したGeにおける不均一電場による内部シュタルク効果
第19回赤外とミリ波国際会議 1994
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Internal Stark Effect by Inhomogeneous Electric Fields in Compensated Ge
Proceedings of the 19th International Conference on Infrared and Millimeter Waves 1994
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Bi系高Tc超伝導体の赤外吸収
高超伝導体の電子物性と構造(edited by T.Oguchi, K.Kadowaki and T.Sasaki) 1992
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Education (6)：
Professional career (1)：
- Doctor(Natural Science) (Osaka University)
Work history (4)：
- 1995 - 1996 理化学研究所 奨励研究員
- 1995 - 1996 Researcher,
- "RIKEN"
- The Institute of Physical and Chemical Research.
Association Membership(s) (2)：
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