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J-GLOBAL ID：200901086670180131   Update date: Sep. 19, 2024

IWAMURO Noriyuki

イワムロ ノリユキ | IWAMURO Noriyuki
Affiliation and department：
University of Tsukuba Institute of Pure and Applied Sciences

About University of Tsukuba Institute of Pure and Applied Sciences


Job title： Professor
Homepage URL  (1)： http://power.bk.tsukuba.ac.jp/
Research field  (1)： Electronic devices and equipment
Research keywords  (1)： power semiconductor devices
Research theme for competitive and other funds  (9)：
  • 2021 - 2024 SiC-MOSFET負荷短絡時の素子残留ダメージが信頼性特性へ及ぼす影響の研究
  • 2021 - 2024 SiCスーパージャンクション、バイポーラデバイス要素技術開発、高耐圧モジュール及び電力制御の要素技術開発
  • 2021 - 2022 高速スイッチングでさらなる低スイッチング損失の実現を目指したSiCパワーデバイス向け低インダクタンスパッケージの開発
  • 2019 - 2020 ノイズ計測器向け高速・高耐圧パワー半導体デバイス構造に関する研
  • 2019 - 2020 超低オン抵抗SiCトレンチMOSFETのインピーダンスソースインバータ回路への適用可能性の研究
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Papers (133)：
  • 鈴木一広, 矢野裕司, 岩室, 憲幸. 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析. 令和6年電気学会全国大会 講演論文集. 2024. 4. 20. 34-35
  • 菊池真矢, 矢野裕司, 岩室, 憲幸. SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析. 令和6年電気学会全国大会 講演論文集. 2024. 4. 19. 32-33
  • 森海斗, 岩室憲幸, 矢野, 裕司. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート-ドレイン間寄生容量特性解析. 令和6年電気学会全国大会 講演論文集. 2024. 4. 22. 37-38
  • Yao, Kairun, 岩室, 憲幸. Methodology of Failure Mode Analysis in Short-Circuit State of SiC MOSFETs by Electro-Thermal-Mechanical TCAD Simulations. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. 2024. 144. 3. 204-211
  • 森海斗, 岩室憲幸, 矢野, 裕司. 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価. 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集. 2023. 101-102
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Patents (59)：
  • 炭化珪素半導体装置
  • 炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法
  • 炭化珪素半導体装置
  • 炭化珪素半導体装置
  • High Voltage Semiconductor Devices
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Books (41)：
  • SiC power semiconductor devices for power electronics engineers -State-of-the-art device and assembly technologies that achieve high reliability-
    科学情報出版 2024 ISBN:9784910558264
  • Asia Electronics Industry
    電波新聞社 2023
  • 工業材料
    日刊工業新聞社 2023
  • Automotive Technology
    技術情報協会 2023
  • 表面技術
    一般社団法人 表面技術協会 2023
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Lectures and oral presentations  (160)：
  • 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート-ドレイン間寄生容量特性解析
    (令和6年電気学会全国大会)
  • SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析
    (令和6年電気学会全国大会)
  • 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析
    (令和6年電気学会全国大会)
  • 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価
    (先進パワー半導体分科会 第10回講演会)
  • SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果
    (先進パワー半導体分科会 第10回講演会)
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Education (2)：
  • 1992 - 1993 North Carolina State University Power Semiconductor Research Center
  • 1980 - 1984 Waseda University
Professional career (1)：
  • ph.D(Engineering) (Waseda University)
Work history (2)：
  • 1984/04 - 現在 Fuji Electric Co., Ltd
  • 2009/04 - 2013/03 AIST
Committee career (15)：
  • 2017/04 - 現在 電気学会 電子デバイス技術委員会/一号委員
  • 2017/01 - 現在 IEEE EDS Power Device Technical Committee Member
  • 2021/06 - 2022/12 IEEE IEDM2021, 2022 IEEE IEDM2021, 2022 Power Devices and Systems Sub-Committee member
  • 2021/06 - 2022/01 IEEE IEDM2021 IEEE IEDM2021 Power Devices and Systems Sub-Committee member
  • 2020/06 - 2021/06 第33回 ISPSD 2021 第33回 ISPSD 2021 組織委員会委員
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Awards (3)：
  • 2020/12 - 日経エレクトロニクス 日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞 SBD内蔵SiCトレンチMOSFET実用化への道筋
  • 2020/04 - 電気学会 電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞 電気学会技術報告書第1420号(2018年4月発行)
  • 2011/08 - 電気学会 電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞 著書「世界を動かすパワー半導体」
Association Membership(s) (3)：
The Japan Society of Applied Physics ,  IEEE ,  THE INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS OF JAPAN
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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