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J-GLOBAL ID:201401030945256219   Update date: Dec. 02, 2020

NISHI Yusuke

ニシ ユウスケ | NISHI Yusuke
Affiliation and department:
Research theme for competitive and other funds  (10):
  • 2018 - 2021 Appearance of conductance quantization in binary transition metal based resistive switching
  • 2020 - 2021 酸化物が示す界面型抵抗変化における非破壊でのその場組成分析
  • 2020 - 2021 酸化物薄膜を用いた抵抗変化型メモリの特性ばらつき低減
  • 2018 - 2020 半絶縁性SiCの物性・欠陥解明とイオン注入による相補型ロバストJFETの作製
  • 2009 - 2014 Defect Engineering in SiC and Application to Robust Devices with Ultrahigh Blocking Voltage
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Papers (16):
MISC (18):
Patents (4):
  • 携帯型表示装置および携帯型表示装置の制御方法
  • レベル設定回路
  • 受光装置およびこれを用いた光送受信モジュール
  • 携帯型表示装置
Books (1):
  • ニッケル酸化物の抵抗変化を用いた不揮発性メモリの基礎研究
    電気材料技術雑誌、第19巻第1号 p5 2010
Lectures and oral presentations  (71):
  • TiN電極を用いたTa<sub>2</sub>O<sub>5</sub>-ReRAM素子におけるデジタルおよびアナログ抵抗変化の共存
    (シリコン材料・デバイス研究会 2020)
  • Dissolution of conductive filaments by heat in NiO-based resistive switching cells
    (2020)
  • Correlation between depth distribution of chemical compositions and resistive switching characteristics in Metal/Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/Pt cells
    (2020)
  • Improvement of analog resistive switching characteristics in TaO<sub>x</sub>-based synaptic devices through complementary resistive switching
    (2020)
  • Mode Control of Resistive Switching Operations in Pt/TaO<sub>x</sub>/Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/Pt Cells
    (2020)
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Education (2):
  • 2001 - Kyoto University
  • 1997 - Kyoto University School of Electrical & Electronic Engineering
Professional career (1):
  • 博士(工学) (京都大学)
Work history (3):
  • 2020/05 - 現在 Maizuru National College of Technology Department of Control Engineering
  • 2008/04 - 2020/04 京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻 助教
  • 2003/04 - 2008/03 シャープ株式会社
Committee career (2):
  • MEMRISYS2020 プログラム編集委員・特集号編集委員
  • IEEE NVMSA 2018 External Reviewer
Association Membership(s) (2):
Materials Research Society ,  応用物理学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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