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J-GLOBAL ID：201801015029357035
Update date: Jul. 16, 2024 Hatakeyama Tetsuo
ハタケヤマ テツオ | Hatakeyama Tetsuo
Professor
Homepage URL (1)： https://scholar.google.co.jp/citations?user=HDMVl-QAAAAJ&hl=ja Research field (2)：
Semiconductors, optical and atomic physics
, Electric/electronic material engineering
Research keywords (5)：
Device simulation
, SiC MOS interface
, SiC power device
, Wide bandgap semiconductor
, SiC
Research theme for competitive and other funds (2)： - 2023 - 2026 SiC-MOS界面移動度の主劣化要因となる散乱体の物理的実体の解明
- 2019 - 2022 A study on scattering mechanisms of inversion layer mobility in SiC MOSFETs
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Shun Matsuda, Toru Akiyama, Tetsuo Hatakeyama, Kenji Shiraishi, Takashi Nakayama. First-principles study for orientation dependence of band alignments at the 4H-SiC/SiO2 interface. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 2. 02SP69-02SP69
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Tetsuo Hatakeyama, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada. Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs. Journal of Applied Physics. 2022. 131. 14. 145701-145701
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Hiroki Sakata, Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Hirohisa Hirai, Shinsuke Harada, Tetsuo Hatakeyama, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro. Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. 6. 060901-060901
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岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 原田 信介, 畠山 哲夫. On-the-fly Charge Pumping法によるSiC MOSFET NBTI劣化メカニズムの解析. 「電子デバイス界面テクノロジー研究会 」 (第26回研究会) 予稿集. 2021
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畠山 哲夫, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 大, 岡本 光央, 原田 信介. SiC MOS反転層移動度の劣化要因に関する理論的考察. 「電子デバイス界面テクノロジー研究会 」 (第26回研究会) 予稿集. 2021
ｍore...-
A. Yao, T. Hatakeyama. Iron loss and hysteresis properties under high-temperature inverter excitation. Journal of the Magnetics Society of Japan. 2019. 43. 3. 46-49
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4H-SiC/SiO2界面におけるバンド配列の面方位依存性に関する理論検討
(2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
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TCADにおけるSiC MOS反転層移動度のモデル化に関する考察
(先進パワー半導体分科会第9回講演会(2022年秋) 2022)
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SiC PiN ダイオードの p 型エミッタの低注入条件の TCAD による検討
(令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2022)
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SiC MOSFET のI-V特性を再現するTCAD移動度モデルの検討
(令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2022)
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TCADによるSiC MOSFETのCP特性の捕獲断面積依存性の評価
(令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2022)
ｍore...- 1987 - 1990 The University of Tokyo Graduate School of Science Department of Physics, Doctoral Course
- 1985 - 1987 東京大学大学院 理学系研究科 物理学専門課程修士課程
- 1983 - 1985 The University of Tokyo Faculty of Science Department of Physics
- 1981 - 1983 The University of Tokyo College of Arts and Sciences
- Ph.D. (The University of Tokyo)
- 2020/04 - 現在 富山県立大学 工学部 電気電子工学科 教授
- 2018/04 - 2020/03 Toyama Prefectural University Faculty of Engineering, Department of Electric and Computer Engineering Professor
- 2016/04 - 2018/03 National Institute of Advanced Industrial Technology Advanced Power Electronics Research Center
- 1997/03 - 2016/03 Toshiba Corporation Corporate R&D center
- 1991/04 - 1997/02 Kawasaki Steel Corporation
THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS
