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J-GLOBAL ID：201801017104265985   Update date: May. 04, 2024

Tetsuya Tohei

トウヘイ テツヤ | Tetsuya Tohei
Affiliation and department：
大阪大学 大学院基礎工学研究科 システム創成専攻 電子光科学領域

About 大阪大学 大学院基礎工学研究科 システム創成専攻 電子光科学領域


Job title： 准教授
Research field  (3)： Electric/electronic material engineering ,  Metallic materials ,  Inorganic materials
Research keywords  (19)： 酸化物 ,  窒化物 ,  半導体 ,  ナノ構造解析 ,  電気特性 ,  格子欠陥 ,  セラミックス ,  誘電体 ,  磁性体 ,  フォノン ,  相転移 ,  メモリスタ ,  透過型電子顕微鏡 ,  第一原理計算 ,  放射光X線回折 ,  その場観察 ,  計算材料科学 ,  材料設計 ,  電子材料・デバイス
Research theme for competitive and other funds  (12)：
  • 2023 - 2026 Development of plastic functionality electronic devices based on elementary processes of point defects fluid and condensation
  • 2023 - 2024 時分割ナノビームX線回折その場測定による窒化物半導体圧電ダイナミクスの研究
  • 2023 - 2024 酸素空孔ドーパント再分布機構の原子レベル解明にもとづく低 消費電力酸化物人工シナプス素子の開発
  • 2021 - 2022 酸化物メモリスタ材料における点欠陥挙動の第一原理解析
  • 2019 - 2022 TEMオペランド観察と第一原理解析にもとづく時間緩和型酸化物メモリスタの機構解明
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Papers (78)：
  • Tomoki Onabe, Zhendong Wu, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Takahiro Naito, Kohei Hamaya, Akira Sakai. Local strain distribution analysis in strained SiGe spintronics devices. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 2
  • Toshikazu Sato, Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Akira Sakai. Conduction mechanism of Schottky contacts fabricated on etch pits originating from single threading dislocation in a highly Si-doped HVPE GaN substrate. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023. 167
  • Yudai Nakanishi, Yusuke Hayashi, Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yoshikata Nakajima, Shiyu Xiao, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Akira Sakai. Micro- and Nanostructure Analysis of Vapor-Phase-Grown AlN on Face-to-Face Annealed Sputtered AlN/Nanopatterned Sapphire Substrate Templates. Journal of Electronic Materials. 2023
  • Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Akira Sakai. Comprehensive analysis of current leakage at individual screw and mixed threading dislocations in freestanding GaN substrates. Scientific Reports. 2023. 13. 1
  • Kento Sato, Yusuke Hayashi, Naoki Masaoka, Tetsuya Tohei, Akira Sakai. High-temperature operation of gallium oxide memristors up to 600 K. Scientific Reports. 2023. 13. 1
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MISC (58)：
  • Tetsuya Tohei, Yasuhiko Imai, Akira Saka. In situ time-resolved synchrotron radiation nanobeam X-ray diffraction analysis of inverse-piezoelectric-effect-induced lattice deformation in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors. SPring-8 /SACLA Research Frontiers 2021. 2022. 40-41
  • 濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗. Analysis of local strain fields around individual threading dislocations in HVPE-GaN bulk crystals by using nanobeam X-Ray diffraction. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
  • 山本望, 林侑介, 濱地威明, 中西悠太, 藤平哲也, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 正直花奈子, 三宅秀人, et al. Depth-resolved tomographic analysis on thick AlN films grown on NPSS using nanobeam X-ray diffraction. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
  • 安達健太, 林侑介, 藤平哲也, 酒井朗. Gate-controlled modulation of synaptic properties in 4-terminal planar TiO2-x memristive devices. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
  • 池内太志, 林侑介, 藤平哲也, 酒井朗. Development and resistive switching properties of four-terminal planer amorphous GaOx memristive devices. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
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Patents (1)：
  • メモリスタ、それを備えた半導体素子およびメモリスタを備えたアレイシステム
Lectures and oral presentations  (12)：
  • 酸化物四端子型メモリスタの結晶微細構造と電気特性
    (第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)
  • Multiscale analysis of structure and property of functional crystals based on combined microscopic approaches
    (2020)
  • Electric and Microstructural Analysis of Rutile TiO2 Single Crystal Memristor
    (FMS-NANOMATA 2019 2019)
  • FIBおよびイオンミリング試料作製法による酸化チタン単結晶メモリスタの微構造解析
    (大阪大学ナノテクノロジー設備供用拠点 微細構造解析プラットフォーム2018年度第1回地域セミナー 2018)
  • 先端材料設計を目指した材料・デバイスの原子レベル解析
    (日本セラミックス協会2017年度ガラス表面・ 分析研究討論会 2018)
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Works (2)：
  • 3D-OVPE-GaN単結晶におけるフローラル成長モード(日本セラミックス協会第47回学術写真賞 特別賞, セラミックス協会誌 2023年表紙)
    栗谷淳, 藤平哲也, 林侑介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央 2022 -
  • Versatile functionality of four-terminal TiO2-x memristive devices as artificial synapses for neuromorphic computing (Slected for Cover of ACS Appl. Electron. Mater.)
    Ryotaro Miyake, Zenya Nagata, Kenta Adachi, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai 2022 -
Education (2)：
  • 2001 - 2006 京都大学大学院 工学研究科 材料工学専攻
  • 1997 - 2001 Kyoto University Faculty of Engineering School of Engineering Science
Professional career (1)：
  • 博士(工学) (京都大学)
Work history (5)：
  • 2017/04 - 現在 大阪大学大学院 基礎工学研究科システム創成専攻 准教授
  • 2011/08 - 2017/03 東京大学大学院 工学系研究科総合研究機構 助教
  • 2007/07 - 2011/08 東京大学大学院 工学系研究科総合研究機構 特任研究員(ナノテクノロジーネットワーク微細構造解析拠点)
  • 2007/04 - 2007/07 京都大学大学院 工学研究科 産学官連携研究員
  • 2006/04 - 2007/03 京都大学大学院 工学研究科 日本学術振興会特別研究員(PD)
Committee career (1)：
  • 2018/04 - 2020/03 応用物理学会関西支部幹事
Awards (8)：
  • 2022/07 - 日本セラミックス協会 第47回学術写真賞 特別賞 「3D-OVPE-GaN単結晶におけるフローラル成長モード」(セラミックス協会誌2023年間表紙に採用)
  • 2016/11 - 日本セラミックス協会 井関孝善賞
  • 2015/03 - 日本金属学会金属組織写真賞 最優秀賞
  • 2015/03 - 日本セラミックス協会学術写真賞 最優秀賞
  • 2011/06 - 5th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC5) 最優秀ポスター賞
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Association Membership(s) (4)：
THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS ,  THE JAPANESE SOCIETY OF MICROSCOPY ,  The Ceramic Society of Japan ,  日本金属学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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