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J-GLOBAL ID：202001014416707038
Update date: May. 14, 2024
Iwata Naotaka
イワタ ナオタカ | Iwata Naotaka
Affiliation and department：
Job title：
教授
Homepage URL (1)：
https://ttiweb.toyota-ti.ac.jp/public/user.php?s=1&id=5055&t=1
Research field (1)：
Electronic devices and equipment
Research keywords (2)：
GaN
, 化合物半導体デバイス
Research theme for competitive and other funds (4)：
- 2022 - 2025 Realization of high-efficiency GaN rectifier diode with 0V on-voltage and high breakdown voltage for energy harvesting
- 2018 - 2020 Development of laser-irradiated acceptor activation technology of GaN super junction power devices for high-efficiency power systems
- 2016 - 2019 Development of vertical AlGaN high power FET on Si substrate using spontaneous via holes
- 2015 - 2018 Development of the monolithic AlGaN deep ultraviolet sensing system on a Si substrate
Papers (3)：
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Noriko Kurose, Kota Matsumoto, Fumihiko Yamada, Teuku Muhammad Roffi, Itaru Kamiya, Naotaka Iwata, Yoshinobu Aoyagi. Laser-induced local activation of Mg-doped GaN with a high lateral resolution for high power vertical devices. AIP Advances. 2018. 8. 1
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HARIMA Fumio, BITO Yasunori, TAKAHASHI Hidemasa, IWATA Naotaka. 1.8V Operation Power Amplifier IC for Bluetooth Class 1 Utilizing p^+-GaAs Gate Hetero-Junction FET. IEICE Trans. Electron. 2008. 91. 7. 1104-1108
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Nishimura Takeshi, Iwata Naotaka, Takemura Koichi, Kuzuhara Masaaki, Miyasaka Yoichi. SrTiO 3 Capacitor with Relative Dielectric Constant of 200 on GaAs Substrate at Microwave Frequency. Jpn J Appl Phys. 1996. 35. 12. L1683-L1684
MISC (61)：
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岩田 直高, 藤田 祐智. 携帯電話アンテナインピーダンス整合用GaAsスイッチIC (電子デバイス特集) -- (モバイル、ワイヤレス分野に向けた半導体・ソリューション). NEC技報. 2009. 62. 1. 34-37
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岩田 直高, 椙田 耕太郎. ワイヤレスブロードバンド用GaAsスイッチIC (電子デバイス特集) -- (デジタルコンシューマ分野向け半導体). NEC技報. 2007. 60. 4. 22-25
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ISHIKURA Kouji, TAKENAKA Isao, TAKAHASHI Hidemasa, HASEGAWA Kouichi, ASANO Kazunori, IWATA Naotaka. High Power GaAs Heterojunction FET with Dual Field-Modulating-Plates for 28V Operated W-CDMA Base Station. IEICE transactions on electronics. 2007. 90. 5. 923-928
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TAKENAKA Isao, ISHIKURA Kohji, TAKAHASHI Hidemasa, HASEGAWA Kouichi, UEDA Takashi, KURIHARA Toshimichi, ASANO Kazunori, IWATA Naotaka. A Distortion-Cancelled Doherty 28V Operated 330W GaAs Heterojunction FET Power Amplifier for Cellular Base Stations. IEICE technical report. 2007. 106. 459. 149-154
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Iwata Naotaka. CT-1-7 Application of GaAs Heterojunction FETs to Power Amplifiers and Switches. Proceedings of the IEICE General Conference. 2006. 2006. 2. "SS-11"
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Education (3)：
- 1999 - University of Tsukuba
- 1981 - 1983 University of Tsukuba Master's Program in Science and Engineering
- 1977 - 1981 The University of Electro-Communications Faculty of Electro-Communications
Professional career (1)：
Work history (5)：
- 2013/04 - 現在 Toyota Technological Institute
- 2015/05 - 2016/03 Ritsumeikan University
- 1983/04 - 2013/03 NEC、NECエレクトロニクス、ルネサス エレクトロニクス株式会社 基礎研究所、マイクロエレクトロニクス研究所、関西エレクトロニクス研究所、化合物デバイス事業部
- 2005/04 - 2011/03 The University of Electro-Communications Cooperative Research Center
- 1993/01 - 1993/12 Stanford大学 J.S.Harris教授研究室 客員研究員
Committee career (1)：
- 2018/04 - 現在 International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma) Program Committee
Awards (3)：
- 2004/04 - 電気通信大学 電気通信大学 同窓会賞 移動体端末用高出力ヘテロ接合FETの開発
- 2003/04 - 文部科学省 文部科学大臣賞 第29回研究功績者表彰 携帯電話端末用ヘテロ接合FETの研究
- 2002/04 - 公益財団法人 市村清新技術財団 第34回 市村産業賞 功績賞 携帯電話端末用ヘテロ接合FETの開発と実用化
Association Membership(s) (3)：
応用物理学会
, 電子情報通信学会
, The Institute of Electrical and Electronics Engineers
