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J-GLOBAL ID：202001018659741108
Update date: Jul. 28, 2024
Sometani Mitsuru
ソメタニ ミツル | Sometani Mitsuru
Affiliation and department：
Other affiliations (1)：
Research field (4)：
Thin-film surfaces and interfaces
, Crystal engineering
, Electric/electronic material engineering
, Electronic devices and equipment
Research keywords (6)：
ゲート絶縁膜
, 信頼性評価
, 移動度
, MOSFET
, シリコンカーバイド
, パワー半導体
Research theme for competitive and other funds (3)：
- 2024 - 2029 Deep Insights into Heterointerface Engineering in Silicon Carbide based Devices
- 2020 - 2025 ワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の正体の横断的解明
- 2021 - 2024 SiC-MOS界面特有の散乱体の起源検証とその抑制によるチャネル抵抗低減
Papers (64)：
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Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada. 3D Van der Pauw Device for MOS Channel Characterization on 4H-SiC Trench Sidewalls. IEEE Electron Device Letters. 2024
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Xufang Zhang, Tsubasa Matsumoto, Mitsuru Sometani, Masahiko Ogura, Hiromitsu Kato, Toshiharu Makino, Daisuke Takeuchi, Takao Inokuma, Satoshi Yamasaki, Norio Tokuda. Impact of water vapor annealing treatments on Al2O3/diamond interface. AIP Advances. 2024
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Mitsuru Sometani, Kunihide Oozono, Shiyang Ji, Takeshi Tawara, Tadao Morimoto, Tomohisa Kato, Kazutoshi Kojima, Shinsuke Harada. Comparison of 1.2 kV SiC Superjunction MOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. 2024. 144. 3. 257-262
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Takuma Kobayashi, Asato Suzuki, Takato Nakanuma, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Characterization of nitrided SiC(1-100) MOS structures by means of electrical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024. 175. 108251-108251
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Mitsuru Sometani, Yusuke Nishiya, Ren Kondo, Rei Inohana, Hongyu Zeng, Hirohisa Hirai, Dai Okamoto, Yu-ichiro Matsushita, Takahide Umeda. Energy levels of carbon dangling-bond center (PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface. APL Materials. 2023
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Patents (4)：
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半導体装置及び半導体装置の製造方法
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半導体装置の製造方法及びこれに用いる半導体製造装置
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炭化珪素半導体装置の製造方法
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半導体装置の評価方法および半導体装置の評価装置
Books (3)：
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次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術
S&T出版 2022 ISBN:9784907002930
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SiCパワーMOSFETに残された課題
公益社団法人応用物理先進パワー半導体分科会 2017 ISBN:9784863486393
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SiC酸化膜界面のパッシベーション技術
公益社団法人応用物理先進パワー半導体分科会 2016 ISBN:9784863485846
Lectures and oral presentations (44)：
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Carbon dangling-bond energy levels at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface determined by EDMR, C-V and first-principles calculation
(20th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023)
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トレンチ埋め戻しエピ法によるSiC-SJ-MOSFET開発
(ワイドギャップ半導体学会第12回研究会 2023)
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Energy levels of carbon dangling-bond at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface
(2022)
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Impact of oxidation process on electron scattering and roughness at 4H-SiC non-polar MOS interfaces
(The 19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 2022)
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Comparative Study of Performance of SiC SJ-MOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth
(IEEE ISPSD 2022 2022)
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Education (1)：
- - 2011 University of Tsukuba Graduate School of Pure and Applied Sciences
Work history (4)：
- 2021/08 - 現在 Osaka University
- 2021/04 - 現在 国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 主任研究員
- 2016/04 - 2021/03 国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 研究員
- 2011/04 - 2016/03 富士電機株式会社
Committee career (9)：
- 2021/04 - 現在 ワイドギャップ半導体学会 企画委員会 企画幹事
- 2023/02 - 2023/12 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 実行委員
- 2022/10 - 2023/10 応用物理学会 2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (IWDTF 2023) プログラム委員
- 2021/01 - 2021/12 応用物理学会 2021年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM2021) プログラム委員
- 2020/11 - 2021/11 応用物理学会 2021 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (IWDTF 2021) プログラム委員 総務
- 2020/01 - 2021/03 産学協力研究委員会 ワイドキャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 企画委員
- 2020/01 - 2020/12 応用物理学会 2020年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM2020) プログラム委員
- 2018/01 - 2019/12 応用物理学会 2019年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM2019) プログラム委員
- 2016/01 - 2016/12 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第3回講演会実行委員
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Awards (2)：
- 2024/03 - IOP Publishing Outstanding Reviewer Awards 2023 (Japanese Journal of Applied Physics)
- 2014/09 - 公益社団法人応用物理学会 応用物理学会講演奨励賞 ゲートバイアスストレスによるしきい値電圧変動の緩和挙動と新規測定法の提案
Association Membership(s) (2)：
The Japan Society of Wide Gap Semiconductors
, 応用物理学会
