Sometani Mitsuru

ソメタニミツル | Sometani Mitsuru

Affiliation and department：
Other affiliations (1)：

Osaka University

Research field (4)： Thin-film surfaces and interfaces , Crystal engineering , Electric/electronic material engineering , Electronic devices and equipment

Research keywords (6)：ゲート絶縁膜 , 信頼性評価 , 移動度 , MOSFET , シリコンカーバイド , パワー半導体

Research theme for competitive and other funds (2)：

2020 - 2025 ワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の正体の横断的解明
2021 - 2024 SiC-MOS界面特有の散乱体の起源検証とその抑制によるチャネル抵抗低減

Papers (55)：

Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Degradation of NO-nitrided SiC MOS interfaces by excimer ultraviolet light irradiation. Applied Physics Express. 2022. 15. 10. 104004-104004
Takuji Hosoi, Momoe Ohsako, Kidist Moges, Koji Ito, Tsunenobu Kimoto, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Impact of post-nitridation annealing in CO2 ambient on threshold voltage stability in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors. Applied Physics Express. 2022
Takato Nakanuma, Yu Iwakata, Arisa Watanabe, Takuji Hosoi, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Comprehensive physical and electrical characterizations of NO nitrided SiO2/4H-SiC(112̄0) interfaces. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 61. {SC}. SC1065-SC1065
Tetsuo Hatakeyama, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada. Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs. Journal of Applied Physics. 2022. 131. 14. 145701-145701
Takato Nakanuma, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Impact of nitridation on the reliability of 4H-SiC(112̄0) MOS devices. Applied Physics Express. 2022. 15. 4. 041002-041002

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Patents (4)：

半導体装置及び半導体装置の製造方法
半導体装置の製造方法及びこれに用いる半導体製造装置
炭化珪素半導体装置の製造方法
半導体装置の評価方法および半導体装置の評価装置

Books (3)：

次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術
S&T出版 2022 ISBN:9784907002930
SiCパワーMOSFETに残された課題
公益社団法人応用物理先進パワー半導体分科会 2017 ISBN:9784863486393
SiC酸化膜界面のパッシベーション技術
公益社団法人応用物理先進パワー半導体分科会 2016 ISBN:9784863485846

Lectures and oral presentations (42)：

Energy levels of carbon dangling-bond at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface
(2022)
Impact of oxidation process on electron scattering and roughness at 4H-SiC non-polar MOS interfaces
(The 19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 2022)
Comparative Study of Performance of SiC SJ-MOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth
(IEEE ISPSD 2022 2022)
Impact of Oxidation process on electron scattering at 4H-SiC non-polar MOS Interfaces
(2021)
Comparison of Field Effect Mobility Enhancement by Different Oxidation Processes at 4H-SiC a-face MOS Interface
(2020 International Conference on Solid State Devices and Materials 2020)

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Education (1)：

- 2011 University of Tsukuba Graduate School of Pure and Applied Sciences

Work history (4)：

2021/08 - 現在 Osaka University
2021/04 - 現在国立研究開発法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター主任研究員
2016/04 - 2021/03 国立研究開発法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター研究員
2011/04 - 2016/03 富士電機株式会社

Committee career (8)：

2022/10 - 現在応用物理学会 2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (IWDTF 2023) プログラム委員
2021/04 - 現在ワイドギャップ半導体学会企画委員会企画幹事
2021/01 - 2021/12 応用物理学会 2021年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM2021) プログラム委員
2020/11 - 2021/11 応用物理学会 2021 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (IWDTF 2021) プログラム委員総務
2020/01 - 2021/03 産学協力研究委員会ワイドキャップ半導体光・電子デバイス第162委員会企画委員

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Awards (1)：

2014/09 - 公益社団法人応用物理学会応用物理学会講演奨励賞ゲートバイアスストレスによるしきい値電圧変動の緩和挙動と新規測定法の提案

Association Membership(s) (2)：

The Japan Society of Wide Gap Semiconductors , 応用物理学会

※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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