Hiramoto Toshiro

ヒラモトトシロウ | Hiramoto Toshiro

Affiliation and department：
Job title： Professor
Homepage URL (1)： http://www.vlsi.iis.u-tokyo.ac.jp/index-j.html

Research field (1)： Electronic devices and equipment

Research keywords (29)：ナノエレクトロニクス , ナノテクノロジー , ナノデバイス , 量子ドット , 単電子トランジスタ , 単一電子デバイス , 量子効果 , SOI , 低消費電力 , CMOS , MOSFET , 集積回路 , VLSI , シリコン , 半導体 , Nanodevices , Nanoelectronics , Nanotechnology , Quantum dot , Single electron transistor , Single electron devices , Quantum effect , Low power , SOI , CMOS , MOSFET , VLSI , Silicon , Semiconductor

Research theme for competitive and other funds (40)：

2022 - 2026 Generation and extraction of device fingerprints (quantum fingerprints) based on physics of spin qubits
2019 - 2023 三次元集積化に向けたスケーラブルな積層構造シリコン量子ビットに関する研究
2014 - 2020 新世代Si-IGBTと応用基本技術の研究開発
2018 - 2019 マルチモーダルな超低消費電力エッジシステムに向けたAIコンピューティング技術の研究開発
2017 - 2019 電源電圧0.1V動作に向けたトランジスタの特性ばらつきの自己収束機構に関する研究

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Papers (285)：

Kaito Hikake, Zhuo Li, Junxiang Hao, Chitra Pandy, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, Masaharu Kobayashi. A Nanosheet Oxide Semiconductor FET Using ALD InGaOx Channel for 3-D Integrated Devices. IEEE Transactions on Electron Devices. 2024. 1-7
Kaito Hikake, Zhuo Li, Junxiang Hao, Chitra Pandy, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, Masaharu Kobayashi. A Nanosheet Oxide Semiconductor FET Using ALD InGaOx Channel and InSnOx Electrode with Normally-off Operation, High Mobility and Reliability for 3D Integrated Devices. 2023 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits). 2023
Masahide Goto, Yuki Honda, Masakazu Nanba, Yoshinori Iguchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Eiji Higurashi, Hiroshi Toshiyoshi, Toshiro Hiramoto. Pixel-Parallel Three-Layer Stacked CMOS Image Sensors Using Double-Sided Hybrid Bonding of SOI Wafers. IEEE Transactions on Electron Devices. 2023. 70. 9. 4705-4711
Masaharu Kobayashi, Jixuan Wu, Yoshiki Sawabe, Saraya Takuya, Toshiro Hiramoto. Mesoscopic-scale grain formation in HfO2-based ferroelectric thin films and its impact on electrical characteristics. Nano Convergence. 2022. 9. 1
Zhuo Li, Jixuan Wu, Xiaoran Mei, Xingyu Huang, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, Masaharu Kobayashi. A 3D Vertical-Channel Ferroelectric/Anti-Ferroelectric FET With Indium Oxide. IEEE Electron Device Letters. 2022. 43. 8. 1227-1230

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MISC (323)：

後藤正英, 本田悠葵, 難波正和, 井口義則, 更屋拓哉, 小林正治, 日暮栄治, 年吉洋, 平本俊郎. SOIウェハのハイブリッド接合を用いた画素並列3層積層CMOSイメージセンサ-Pixel-Parallel 3-Layer Stacked CMOS Image Sensors Using Hybrid Bonding of SOI Wafers. 「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編]. 2022. 39. 5p
後藤正英, 本田悠葵, 難波正和, 井口義則, 更屋拓哉, 小林正治, 日暮栄治, 年吉洋, 平本俊郎. SOIウェハのハイブリッド接合を用いた3層積層画素並列CMOSイメージセンサ-3-Layer Stacked Pixel-Parallel CMOS Image Sensors Using Hybrid Bonding of SOI Wafers-情報センシング. 映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report. 2022. 46. 14. 5-8
後藤正英, 中谷真規, 本田悠葵, 渡部俊久, 難波正和, 井口義則, 更屋拓哉, 小林正治, 日暮栄治, 年吉洋, et al. Multi-Layer Stacking Technology for Pixel-Parallel CMOS Image Sensors by Using Room-Temperature Wafer Bonding. 映像情報メディア学会冬季大会講演予稿集(CD-ROM). 2020. 2020
執行直之, 渡辺正裕, 角嶋邦之, 星井拓也, 古川和由, 中島昭, 佐藤克己, 末代知子, 更屋拓哉, 高倉俊彦, et al. Three-Dimensional Device Simulation of Si IGBTs-Investigation of physical models and comparisons with measurements-. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2020. 120. 239(SDM2020 22-34)
Triple-Layered Ring Oscillators and Image Sensors Developed by Direct Bonding of SOI Wafers. 2019. 119. 284. 45-49

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Patents (8)：

半導体装置及び記憶装置並びにその制御方法
ラッチ回路の電圧特性調整方法および半導体装置の電圧特性調整方法並びにラッチ回路の電圧特性調整器
電気化学素子および電気化学素子を用いた相補型回路
半導体記憶装置
半導体集積回路装置およびその製造方法

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Education (4)：

1984 - 1989 The University of Tokyo
- 1989 The University of Tokyo Graduate School, Division of Engineering Electronic Engineering
1982 - 1984 The University of Tokyo The Faculty of Engineering Department of Electronic Engineering
- 1984 The University of Tokyo Faculty of Engineering Electronic Engineering

Professional career (1)：

Doctor of Engineering (The University of Tokyo)

Work history (5)：

1996 - 2002 The University of Tokyo VLSI (Very Scale Integration Large) Design and Education Center
2002 - - 東京大学生産技術研究所教授
1994 - 1996 The University of Tokyo Institute of Industrial Science
1993 - 1994 スタンフォード大学客員研究員
1989 - 1994 Hitachi, Ltd.,

Committee career (14)：

2022/03 - 現在応用物理学会会長
2016/04 - 現在 SSDM 組織委員会委員
2014/06 - 現在 VLSI Symposium on Technology Executive Committee Member
2012/04 - 現在 IEC TC91国内委員会委員長
1999 - 現在電子情報通信学会シリコンデバイス・材料研究会委員

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Awards (7)：

2018/07 - IEEE Nanotechnology Council 2017 IEEE Best Paper Award for the IEEE Transactions on Nanotechnology Negative Capacitance for Boosting Tunnel FET Performance
2016/10 - ICSICT 30-Year Anniversary Contribution Award
2015/03 - Paper Award 3-D Silicon-on-Insulator Integrated Circuits With NFET and PFET on Separate Layers Using Au/SiO2 Hybrid Bonding
2014/06 - 映像情報メディア学会藤尾フロンティア賞画素並列信号処理3次元構造撮像デバイスの研究
2009/09 - 電子情報通信学会電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ賞

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Association Membership(s) (4)：

IEEE Electron Device Society , 電子情報通信学会 , 応用物理学会 , IEEE Electron Device Society

※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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