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J-GLOBAL ID：201102244217209281   Reference number：11A1393948

Single-Electron Charging in Phosphorus Donors in Silicon Observed by Low-Temperature Kelvin Probe Force Microscope

低温Kervinプローブ力顕微鏡法により観察されるSi中のPドナーでの単電子充電

Author (8)： ANWAR Miftahul (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  KAWAI Yuya (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  MORARU Daniel (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  NOWAK Roland (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  NOWAK Roland (Warsaw Univ. Technol., Warsaw, POL) ,  JABLONSKI Ryszard (Warsaw Univ. Technol., Warsaw, POL) ,  MIZUNO Takeshi (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TABE Michiharu (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 50  Issue： 8,Issue 4  Page： 08LB10.1-08LB10.4  Publication year： Aug. 25, 2011 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *force microscope ,  *silicon ,  *donor ,  *phosphorus ,  *single electron tunnel effect ,  *charge (battery)

JST classification (4)： Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P) ,  Electrical properties of interfaces in general  (BM03081H) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Microscopy determination of structures  (BK01040E)

Reference (30)：

• 1) A. Asenov, A. R. Brown, J. H. Davies, S. Kaya, and G. Slavcheva: IEEE Trans. Electron Devices 50 (2003) 1837.
• 2) H. Sellier, G. P. Lansbergen, J. Caro, S. Rogge, N. Collaert, I. Ferain, M. Jurczak, and S. Biesemans: Phys. Rev. Lett. 97 (2006) 206805.
• 3) G. P. Lansbergen, R. Rahman, C. J. Wellard, I. Woo, J. Caro, N. Collaert, S. Biesemans, G. Klimeck, L. C. L. Hollenberg, and S. Rogge: Nat. Phys. 4 (2008) 656.
• 4) M. Tabe, D. Moraru, M. Ligowski, M. Anwar, R. Jablonski, Y. Ono, and T. Mizuno: Phys. Rev. Lett. 105 (2010) 016803.
• 5) Y. Ono, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, and Y. Takahashi: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 102106.

Terms in the title (8)： 低温 ,  プローブ ,  力顕微鏡 ,  観察 ,  Si ,  ドナー ,  電子 ,  充電