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J-GLOBAL ID：200902015894308825   Reference number：83A0199778

Atom-probe study of the early stage of silicide formation. I. W - Si system.

けい化物形成初期段階の原子プローブ研究 I W-Si系

Author (8)： NISHIKAWA O (Tokyo Inst. Technology, Yokohama) ,  TSUNASHIMA Y (Tokyo Inst. Technology, Yokohama) ,  NOMURA E (Tokyo Inst. Technology, Yokohama) ,  HORIE S (Tokyo Inst. Technology, Yokohama) ,  WADA M (Tokyo Inst. Technology, Yokohama) ,  SHIBATA M (Tokyo Inst. Technology, Yokohama) ,  YOSHIMURA T (Tokyo Inst. Technology, Yokohama) ,  UEMORI R (Tokyo Inst. Technology, Yokohama)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics Processing and Phenomena)
Volume： 1  Issue： 1  Page： 6-9  Publication year： Jan. 1983 
JST Material Number： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicide ,...
Semi thesaurus term： FIM【顕微鏡】

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Microscopy determination of structures  (BK01040E)

Terms in the title (5)： けい化物 ,  初期段階 ,  原子プローブ ,  研究 ,  Si