Art

J-GLOBAL ID：200902024257193835   Reference number：91A0504277

Preparation and properties of Sb-doped amorphous SiC:H films by co-sputtering.

Co-sputter法によるSb添加a-SiC:H薄膜の作製と特性

Author (4)： TOMIOKA YUGO (静岡大 電子工研) ,  SAITO NOBUO (静岡大 電子工研) ,  YAMAGUCHI TOMUO (静岡大 電子工研) ,  KAWAMURA KAZUHIKO (新日本製鉄 エレクトロニクス研)
Material： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
Volume： 34  Issue： 3  Page： 351-353  Publication year： Mar. 1991 
JST Material Number： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： magnetron sputtering ,...
Semi thesaurus term： forbidden band

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electric conduction in amorphous and liquid semiconductors  (BM03042G)

Reference (4)：

• 1) 斎藤順雄, 田中孝彦, 山田武志, 仲秋 勇, 山口十六夫 : 真空, 29 (1986) 251.
• 2) 斎藤, 順雄 : 真空, 30 (1987) 69.
• 3) 冨岡雄吾, 斎藤順雄, 山口十六夫, 河村和彦 : 真空, 33 (1990) 733.
• 4) H. H. Andersen, H. L. Bay : in Sputtering by Particle Bombardment I, Topics in Applied Physics, Vol. 47 (Springer-Vorlag, Berlin, 1981).

Terms in the title (5)： CO ,  Sb ,  SiC ,  薄膜 ,  作製