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J-GLOBAL ID：200902097150724800   Reference number：90A0890297

Electrical properties of Al-doped and B-doped amorphous SiC:H films prepared by cosputtering.

Co-sputter法によるAl及びB添加a-SiC:H薄膜の電気的特性

Author (4)： TOMIOKA YUGO (静岡大 電子工研) ,  SAITO NOBUO (静岡大 電子工研) ,  YAMAGUCHI TOMUO (静岡大 電子工研) ,  KAWAMURA KAZUHIKO (新日本製鉄)
Material： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
Volume： 33  Issue： 9  Page： 733-737  Publication year： Sep. 1990 
JST Material Number： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： amorphous semiconductor ,...
Semi thesaurus term： 共スパッタ法

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electric conduction in amorphous and liquid semiconductors  (BM03042G)

Reference (10)：

• 1) 斎藤順雄, 田中孝彦, 山田武志, 仲秋 勇, 山口十六夫 : 真空, 29 (1986) 251.
• 2) 斎藤順雄 : 真空, 30 (1987) 69.
• 3) 冨岡雄吾, 斎藤順雄, 山口十六夫, 中西洋一郎, 河村和彦 : 真空, 32 (1989) 327.
• 4) 冨岡雄吾, 斎藤順雄, 山口十六夫, 河村和彦 : 真空, 33 (1990) 132.
• 5) W. E. Spear, R. J. Loveland and A. Al-Sharbaty, J. non-crystalline Solids, 15 (1974) 410.

Terms in the title (5)： CO ,  Al ,  SiC ,  薄膜 ,  電気的特性