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J-GLOBAL ID：200902066234406682   Reference number：91A0233064

Electron-beam cell projection lithography: A new high-throughput electron-beam direct-writing technology using a specially tailored Si aperture.

セルパターン投影方式の電子ビームリソグラフィー 特製のSiアパーチャーを用いた新しいタイプの高スループット電子ビーム直接書込み法

Author (4)： NAKAYAMA Y (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  OKAZAKI S (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  SAITOU N (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  WAKABAYASHI H (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics Processing and Phenomena)
Volume： 8  Issue： 6  Page： 1836-1840  Publication year： Nov. 1990 
JST Material Number： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： electron beam ,...
Semi thesaurus term： 直接リソグラフィー ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (8)： 投影 ,  電子ビームリソグラフィー ,  Si ,  アパーチャー ,  タイプ ,  高スループット ,  電子ビーム ,  直接書込み