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J-GLOBAL ID：200902068235543554   Reference number：91A0232996

Gas phase silylation in the diffusion enhanced silylated resist process for application to sub-0.5μm optical lithography.

0.5μm以下のフォトリソグラフィー用の拡散促進型シリル化レジスト(DESIRE)処理での気相シリル化

Author (5)： BAIK K-H (Interuniversity Microelectronics Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  VAN DEN HOVE L (Interuniversity Microelectronics Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  GOETHALS A M (Interuniversity Microelectronics Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  OP DE BEECK M (Interuniversity Microelectronics Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  ROLAND B (UCB Electronics, Haarsrode, BEL)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics Processing and Phenomena)
Volume： 8  Issue： 6  Page： 1481-1487  Publication year： Nov. 1990 
JST Material Number： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： photoresist ,...
Semi thesaurus term： DESIRE

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Other reactions of polymer  (CG03040H)

Terms in the title (6)： フォトリソグラフィー ,  拡散 ,  促進 ,  シリル化 ,  レジスト ,  気相