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J-GLOBAL ID：200902105126334778   Reference number：95A0907712

Effects of process parameters on low-temperature silicon homoepitaxy by ultrahigh-vacuum electron-cyclotron-resonance chemical-vapor deposition.

超高真空電子サイクロトロン共鳴化学蒸着によるシリコンの低温ホモエピタクシーへのプロセスパラメータの効果

Author (5)： TAE H-S (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  HWANG S-H (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  PARK S-J (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  YOON E (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  WHANG K-W (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 78  Issue： 6  Page： 4112-4117  Publication year： Sep. 15, 1995 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： plasma CVD ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： 高真空 ,  電子サイクロトロン共鳴 ,  化学蒸着 ,  シリコン ,  低温 ,  ホモエピタクシー ,  プロセスパラメータ