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J-GLOBAL ID：200902106396025935   Reference number：03A0119166

Formation and Characterization of Ferroelectric Sr₂Nb₂O₇ Thin Film for MFMIS-FET Type Non-Volatile Memory.

MFMIS-FET不揮発性メモリ用強誘電体薄膜の成膜と評価

Author (3)： NAKAO YOSHIAKI (大阪電通大 工) ,  SEKIMOTO YASUHIRO (大阪電通大 工) ,  MATSUURA HIDEHARU (大阪電通大 工)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 102  Issue： 540(SDM2002 211-226)  Page： 51-56  Publication year： Dec. 20, 2002 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *dielectric thin film ,...
Semi thesaurus term： 金属強誘電体 ,...

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JST classification (3)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B)

Reference (6)：

• PRASADARAO, Alamanda V. Fabrication of Sr_2Nb_2O_7 thin films by sol-gel processing. J. Mater. Res. 1995, 10, 3, 704-707
• FUJIMORI, Yoshikazu. Study of Ferroelectric Materials for Ferroelectric Memory FET. IEICE TRANS. ELECTRON, C. 1998, E81, 4, 572-576
• 庄山昌司. ゾル・ゲル法による不揮発性強誘電体メモリの低温合成. 三重県工業技術総合研究所研究報告. 1999, 23
• MATSUURA, H. Discharge Current Transient Spectroscopy for Evaluating Traps in Insulators. Jpn. J. Appl. Phys. 1995, 34, 2A, L185-L187
• MATSUURA, H. Graphical peak analysis method for determining densities and emission rates of traps in dielectric film from transient discharge current. Jpn. J. Appl. Phys. 2002, 92, 4, 2085-2091

Terms in the title (5)： FET ,  不揮発性メモリ ,  強誘電体薄膜 ,  成膜 ,  評価