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J-GLOBAL ID：200902128888783880   Reference number：01A0234433

Materials Science Approach to High-κ Gate Dielectric Insulators for Si-ULSI.

高誘電体ゲート絶縁膜の開発と材料科学

Author (1)： TORIUMI AKIRA (東大 大学院工学系研究所)
Material： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
Volume： J84-C  Issue： 2  Page： 76-89  Publication year： Feb. 01, 2001 
JST Material Number： S0623C  ISSN： 1345-2827  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gate(semiconductor) ,...

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JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (35)：

• SHULTZ, M. The end of the road for silicon?. Nature. 1999, 399, 729
• MULLER, D. A. The electronic structure at the atomic scale of ultrathin gate oxides. Nature. 1999, 399, 758
• STATHIS, J. H. Reliability projection for ultra-thin oxides at low voltage. Tech. Dig. IEDM'98. 1998, 167-170
• SHANNON, R. D. Dielectric polarizabilities of ions in oxides and fluorides. J. Appl. Phys. 1993, 73, 348-366
• ROBERTSON, J. Schottky barrier heights of tantalum oxide, barium strontium titanate lead titanate, and strontium bismuth tantalate. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 1168-1170

Terms in the title (4)： 誘電体 ,  ゲート絶縁膜 ,  開発 ,  材料科学