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J-GLOBAL ID：200902133029144674   Reference number：02A0521569

High-Sensitivity Analysis of Z₁ Center Concentration in 4H-SiC Grown by Horizontal Cold-Wall Chemical Vapor Deposition.

水平型冷壁の化学気相蒸着により成長させた4H-SiCにおけるZ₁中心の濃度の高感度な解析

Author (3)： NAKAMURA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 41  Issue： 5A  Page： 2987-2988  Publication year： May. 15, 2002 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (10)：

• 1) T. Kimoto, A. Itoh, H. Matsunami, S. Sridhara, L. L. Clemen, R. P. Devaty, W. J. Choyke, T. Dalibor, C. Peppermüller and G. Pensl: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 2833.
• 2) F. Wischmeyer, E. Niemann and H. L. Hartnagel: J. Electron. Mater. 28 (1999) 175.
• 3) T. Kimoto, S. Nakazawa, K. Hashimoto and H. Matsunami: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 2761.
• 4) A. Ellison, J. Zhang, W. Magnusson, A. Henry, Q. Wahab, J. P. Bergman, C. Hemmingson, N. T. Son and E. Janzén: Mater. Sci. Forum 338-342 (2000) 131.
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Terms in the title (7)： 水平型 ,  化学 ,  気相蒸着 ,  成長 ,  4H-SiC ,  高感度 ,  解析