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J-GLOBAL ID：200902134681759440   Reference number：02A0239689

Excitonic Emissions in ZnTe/GaAs Films Grown by Hot-Wall Epitaxy.

Author (6)： SETO S (Ishikawa National Coll. Technol., Ishikawa, JPN) ,  MOCHIDA N (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  INABE K (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  SUZUKI K (Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN) ,  KURODA T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MINAMI F (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
Material： Physica Status Solidi. B. Basic Research  (Phys Status Solidi B)
Volume： 229  Issue： 1  Page： 587-590  Publication year： Jan. 01, 2002 
JST Material Number： C0599A  ISSN： 0370-1972  Document type： Article
Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (3)： ZnTe ,  GaAs ,  HOT