Art

J-GLOBAL ID：200902136106395900   Reference number：95A0062364

Fabrication of a silicon quantum wire surrounded by silicon dioxide and its transport properties.

二酸化けい素で囲まれたシリコン量子細線の作製とその輸送特性

Author (7)： NAKAJIMA Y (NTT LSI Lab., Atsugi, JPN) ,  TAKAHASHI Y (NTT LSI Lab., Atsugi, JPN) ,  HORIGUCHI S (NTT LSI Lab., Atsugi, JPN) ,  IWADATE K (NTT LSI Lab., Atsugi, JPN) ,  NAMATSU H (NTT LSI Lab., Atsugi, JPN) ,  KURIHARA K (NTT LSI Lab., Atsugi, JPN) ,  TABE M (NTT LSI Lab., Atsugi, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 65  Issue： 22  Page： 2833-2835  Publication year： Nov. 28, 1994 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...
Semi thesaurus term： 一次元輸送

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JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： 二酸化けい素 ,  シリコン ,  量子細線 ,  作製 ,  輸送特性