Art

J-GLOBAL ID：200902140131312006   Reference number：00A0692992

Implementation of ArF Resist Processes for 130nm and below.

130nm及びそれ未満のArFレジスト工程の遂行

Author (7)： GOETHALS A M (IMEC, Leuven, BEL) ,  VAN ROEY F (IMEC, Leuven, BEL) ,  VANDENBERGHE G (IMEC, Leuven, BEL) ,  JAENEN P (IMEC, Leuven, BEL) ,  POLLERS I (IMEC, Leuven, BEL) ,  POLLENTIER I (IMEC, Leuven, BEL) ,  RONSE K (IMEC, Leuven, BEL)
Material： Journal of Photopolymer Science and Technology  (フォトポリマー懇話会誌)
Volume： 13  Issue： 4  Page： 635-644  Publication year： 2000 
JST Material Number： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *laser lithography ,...

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JST classification (2)： Copolymerization  (CG04030D) ,  Photographic materials and methods in general  (ZA03010F)

Reference (11)：

• 1) Gilles Amblard et al, Proc. SPIE, 3999, (2000), to be published.
• 2) Anne-Marie Goethals and Kurt Ronse, Future Fab International, issue 7, p. 143, (1999).
• 3) Anne-Marie Goethals et al, J. Photopolym. Sci. Technol.,Vol.12, No 3, (1999) 445.
• 4) J. Mulkens et al, Proc. SPIE, 3679 (1999).
• 5) Nark Neisser et al, Proc. SPIE 4000-98, (2000), to be published.

Terms in the title (2)： ARF ,  レジスト