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J-GLOBAL ID：200902151284111982   Reference number：01A0700107

X-Ray Radiation Response of Epitaxial and Nonepitaxial n-6H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors.

エピタキシャル及び非エピタキシャルn-6H-SiC金属-酸化物-半導体キャパシタのX線照射応答

Author (5)： DE VASCONCELOS E A (Univ. Federal de Pernambuco, PE, BRA) ,  DA SILVA E F JR (Univ. Federal de Pernambuco, PE, BRA) ,  KATSUBE T (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  YOSHIDA S (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  NISHIOKA Y (Texas Instruments Japan Ltd., Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 40  Issue： 4B  Page： 2987-2990  Publication year： Apr. 30, 2001 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOS structure ,...

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JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Reference (19)：

• 1) M. Yoshikawa, H. Itoh, Y. Morita, I. Nashiyama, S. Misawa, H. Okumura and S. Yoshida: J. Appl. Phys. 70 (1991) 1309.
• 2) J. M. McGarrity, F. B. McLean, W. M. De Lancey, J. Palmour, C. Carter, J. Edmond and R. E. Oakley: IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-39 (1992) 1974.
• 3) V. V. Afanasev, A. Stesmans, M. Bassler, G. Pensl, M. J. Schulz and C. I. Harris: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 2141.
• 4) L. A. Lipkin and J. W. Palmour: J. Electron. Mater. 25 (1996) 909.
• 5) M. K. Das, J. A. Cooper Jr. and M. R. Melloch: J. Electron. Mater. 27 (1998) 353.

Terms in the title (6)： エピタキシャル ,  6H-SiC ,  酸化物 ,  キャパシタ ,  X線照射 ,  応答