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J-GLOBAL ID：200902151500399694   Reference number：01A0728453

Reduction of Base-Collector Capacitance in Submicron InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistors with Buried Tungsten Wires.

埋込みタングステン線を有するサブミクロンInP/GaInAsヘテロ接合バイポーラトランジスタにおけるベース-コレクタ容量の低減

Author (4)： ARAI T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  YAMAGAMI S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 40  Issue： 7B  Page： L735-L737  Publication year： Jul. 15, 2001 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium phosphide ,...
Semi thesaurus term： MOVPE

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (6)：

• 1) M. Sokolich, C. H. Fields and M. Madhav: IEEE Electron Device Lett. 22 (2001) 8.
• 2) Q. Lee, S. C. Martin, D. Mensa, R. P. Smith, J. Guthrie, S. Jaganathan, T. Mathew, S. Krishnan, S. Ceran and M. J. W. Rodwell: <I>Proc. 11th Int. Conf. Indium Phosphide & Related Materials, Davos, Switzerland, 1999</I> (IEEE, Piscataway, 1999) p. 175.
• 3) T. Arai, H. Tobita, Y. Harada, M. Suhara, Y. Miyamoto and K. Furuya: <I>Proc. 11th Int. Conf. Indium Phosphide & Related Materials, Davos, Switzerland, 1999</I> (IEEE, Piscataway, 1999) p. 183.
• 4) T. Arai, Y. Harada, S. Yamagami, Y. Miyamoto and K. Furuya: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L503.
• 5) T. Arai, S. Yamagami, Y. Okuda, Y. Harada, Y. Miyamoto and K. Furuya: submitted to IEICE Trans. Electron.

Terms in the title (7)： 埋込み ,  タングステン ,  サブ ,  InP ,  GaInAs ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  コレクタ