Art

J-GLOBAL ID：200902161350949572   Reference number：00A0075676

High-Performance Diamond Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with 1μm Gate Length.

1μmゲート長を持つダイヤモンド薄膜の高効率な金属-半導体電界効果トランジスタ

Author (6)： UMEZAWA H (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  TSUGAWA K (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMANAKA S (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  TAKEUCHI D (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  OKUSHI H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  KAWARADA H (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 38  Issue： 11A  Page： L1222-L1224  Publication year： Nov. 01, 1999 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MESFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (11)：

• 1) S. Koizumi, M. Kamo, Y. Sato, H. Ozaki and T. Inuzuka: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 1065.
• 2) W. Tsai, M. Delfino, D. Modul, M. Riaziat, L. Y. Ching, G. Reynolds and C. B. Cooper: IEEE Electron Device Lett. EDL-12 (1991) 157.
• 3) H. Shiomi, Y. Nishibayashi, N. Toda and S. Shikata: IEEE Electron Device Lett. EDL-16 (1995) 36.
• 4) T. Maki, S. Shikata, M. Komori, Y. Sakaguchi, K. Sakuta and T. Kobayashi: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) L1446.
• 5) K. Hayashi, S. Yamanaka, H. Okushi and K. Kajimura: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 376.

Terms in the title (4)： ゲート長 ,  ダイヤモンド薄膜 ,  高効率 ,  金属-半導体電界効果トランジスタ