Art

J-GLOBAL ID：200902170545021492   Reference number：99A0610114

Arsenic-free high-temperature surface cleaning of molecular beam epitaxy(MBE)-grown AlGaAs layer with new passivation structure.

新しい不動態化構造を有する分子線エピタキシー(MBE)成長AlGaAs層の無砒素の高温表面洗浄

Author (4)： IIZUKA K (Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN) ,  WATANABE H (Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN) ,  SUZUKI T (Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN) ,  OKAMOTO H (Chiba Univ., Chiba, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 201/202  Page： 174-177  Publication year： May. 1999 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (7)： 不動態化 ,  分子線エピタキシー ,  MBE ,  成長 ,  AlGaAs ,  砒素 ,  表面洗浄