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J-GLOBAL ID：200902171206438968   Reference number：02A0442191

Ab Initio Study of Donor-Hydrogen Complexes for Low-Resistivity n-Type Diamond Semiconductor.

低抵抗率のn型ダイヤモンド半導体のドナー-水素複合体のab initio研究

Author (3)： NISHIMATSU T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KATAYAMA(YOSHIDA) H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ORITA N (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 41  Issue： 4A  Page： 1952-1962  Publication year： Apr. 15, 2002 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *diamond ,...

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JST classification (2)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Reference (31)：

• 1) T. Inuzuka: Diamond Hakumaku (Diamond Thin Film) (Kyoritsu Shuppan, Tokyo, 1990) p. 26 [in Japanese].
• 2) S. A. Kajihara, A. Antonelli, J. Bernholc and R. Car: Phys. Rev. Lett. 66 (1991) 2010.
• 3) R. G. Farrer: Solid State Commun. 7 (1969) 685.
• 4) W. V. Smith, P. P. Sorokin, I. L. Gelles and G. J. Lasher: Phys. Rev. 115 (1959) 1546.
• 5) G. B. Bachelet, G. A. Baraff and M. Schlüter: Phys. Rev. B 24 (1981) 4736.

Terms in the title (6)： 低抵抗 ,  ダイヤモンド半導体 ,  ドナー ,  水素 ,  複合体 ,  研究