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J-GLOBAL ID：200902172272441720   Reference number：00A0535535

High-Mobility Poly-Si Thin Film Transistors Fabricated on Stainless-Steel Foils by Low-Temperature Processes Using Sputter-Depositions.

ステンレス鋼箔上に低温スパッタ蒸着で作製した高移動度ポリSi薄膜トランジスタ

Author (2)： SERIKAWA T (NTT Cyber Space Lab., Tokyo, JPN) ,  OMATA F (NTT Cyber Space Lab., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 39  Issue： 5A  Page： L393-L395  Publication year： May. 01, 2000 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Stainless Steel ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (18)：

• 1) S. D. Theiss and S. Wagner: IEEE Electron Device Lett. 17 (1996) 578.
• 2) P. M. Smith, P. G. Carey and T. W. Sigmon: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 342.
• 3) H. Gleskova, S. Wagner, Q. Zhang and D. S. Shen: IEEE Electron Device Lett. 18 (1997) 523.
• 4) D. P. Gosain, T. Noguchi, A. Machida and T. Usui: Dig. Tech. Papers of 1999 Int. Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays, Tokyo, Japan, 1999, p. 239.
• 5) P. G. Carey, P. N. Smith, S. D. Theiss and P. Wickboldt: J. Vac. Sci. & Technol. A <B>17</B> (1999) 1946.

Terms in the title (8)： ステンレス鋼 ,  箔 ,  低温 ,  スパッタ蒸着 ,  作製 ,  高移動度 ,  ポリSi ,  薄膜トランジスタ