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J-GLOBAL ID：200902173899689139   Reference number：01A0694080

Back-Illuminated GaN Metal-Semiconductor-Metal UV Photodetector with High Internal Gain.

高内部利得をもつ背面照射型のGaNの金属-半導体-金属のUV光検出器

Author (8)： JIANG H (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  NAKATA N (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ZHAO G Y (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ISHIKAWA H (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  SHAO C L (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  EGAWA T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  JIMBO T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  UMENO M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 40  Issue： 5B  Page： L505-L507  Publication year： May. 15, 2001 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ultraviolet detector ,...

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JST classification (1)： Photometry and photodetectors in general  (BD07031F)

Reference (11)：

• 1) J. C. Carrano, T. Li, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, R. D. Dupuis and J. C. Campbell: J. Appl. Phys. 83 (1998) 6148.
• 2) D. Walker, E. Monroy, P. Kung, J. Wu, M. Hamilton, F. J. Sanchez, J. Diaz and M. Razeghi: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 274.
• 3) C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L487.
• 4) F. Hieronymi, E. H. Bottcher, E. Droge, D. Kuhl, St. Kollakowski and D. Bimberg: Electron. Lett. 30 (1994) 1247.
• 5) M. C. Hargis, S. E. Ralph, J. Woodall, D. McInturff, A. J. Negri and P. O. Haugsjaa: IEEE Photon. Technol. Lett. 8 (1996) 110.

Terms in the title (5)： 利得 ,  背面 ,  GaN ,  UV光 ,  検出器