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J-GLOBAL ID：200902176263475553   Reference number：01A0690624

Growth and characterization of cubic InGaN epilayers on 3C-SiC by RF MBE.

RF-MBEによる3C-SiC上の立方晶InGaNエピ層の成長及び特性評価

Author (8)： KITAMURA T (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  CHO S H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  ISHIDA Y (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  IDE T (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SHEN X Q (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  NAKANISHI H (Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  CHICHIBU S (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA H (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 227/228  Page： 471-475  Publication year： Jul. 2001 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： emission intensity

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JST classification (3)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (7)： RF-MBE ,  3C-SiC ,  立方晶 ,  InGaN ,  エピ層 ,  成長 ,  特性評価